[发明专利]表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法有效
申请号: | 201110111020.2 | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN102208370A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 张仓生;郭宗裕 | 申请(专利权)人: | 昆山东日半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;严志平 |
地址: | 215332 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 形成 玻璃 硅晶圆 及其 制造 方法 | ||
1.表面形成玻璃层的硅晶圆,包括硅晶圆和玻璃层,其中玻璃层为钝化层,其特征在于,所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽,所述的玻璃层设置在沟槽内,且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄。
2.根据权利要求1所述的表面形成玻璃层的硅晶圆,其特征在于,所述的玻璃层包括第一干燥层和第二干燥层两层结构,其中,第一干燥层涂布在所述的沟槽表面,而第二干燥层则涂布在第一干燥层的表面。
3.表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一硅晶圆,其中该硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽;
涂布玻璃溶液于上述的沟槽内,其中该玻璃溶液由液态结合液、玻璃结合粉和玻璃粉末混合形成;
进行第一干燥处理:在第一温度条件下将上述的玻璃溶液干燥,得到第一干燥层;
涂布玻璃溶液于所述的第一干燥层上;
进行第二干燥处理:将所述的硅晶圆翻转180度使其沟槽面朝下,在第二温度条件下将所述的玻璃溶液干燥,得到第二干燥层;
以及,将上述的第一干燥层和第二干燥层进行烧结处理。
4.根据权利要求3所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,制备所述的玻璃溶液的过程为:首先将所述的液态结合液和所述的玻璃结合粉在第三温度条件下混合,待所述的玻璃结合粉完全溶解后,再添加所述的玻璃粉末并滚动该玻璃溶液至少24小时。
5.根据权利要求4所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的玻璃结合粉与液态结合液之间的重量百分比为6.4~7.8。
6.根据权利要求4所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的第三温度为85℃~98℃。
7.根据权利要求4所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的玻璃粉末与玻璃溶液之间的重量百分比为85~110。
8.根据权利要求3所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的玻璃溶液中还包括一铝球。
9.根据权利要求8所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,制备所述的玻璃溶液的过程为:将所述的液态结合液与玻璃结合粉在第三温度条件下混合,待所述的玻璃结合粉完全溶解后,再添加玻璃粉末和铝球,并滚动所述的玻璃溶液至少24小时。
10.根据权利要求9所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,制备所述的玻璃结合粉与液态结合液之间的重量百分比为6.4~7.8。
11.根据权利要求9所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的第三温度为85℃~98℃。
12.根据权利要求9所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的玻璃粉末与玻璃溶液之间的重量百分比为85~110。
13.根据权利要求9所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的铝球与玻璃溶液之间的重量百分比为16~18.5。
14.根据权利要求3所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的第一温度为105℃~130℃。
15.根据权利要求3所述的表面形成玻璃层的硅晶圆的制造方法,其特征在于,所述的第二温度为105℃~130℃。
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