[发明专利]具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管，其特征是：包括基板(b11)、第一源极(b1)、第二源极(b9)、第一漏极(b2)、第二漏极(b10)、栅极(b5)、第一有源层(b3)、第二有源层(b7)；所述第一源极(b1)、第一漏极(b2)形成于基板(b11)上；所述第一有源层(b3)形成于第一源极(b1)、第一漏极(b2)之间，其边缘与第一源极(b1)、第一漏极(b2)边缘重叠；所述第一绝缘层(b4)形成于第一有源层(b3)之上；所述栅极(b5)对应第一有源层(b3)并形成于第一绝缘层(b4)上；所述第二绝缘层(b6)形成于栅极(b5)之上；所述第二有源层(b7)对应第一有源层(b3)并形成于第二绝缘层(b6)上；所述第二源(b9)、第二漏极(b10)形成于第二有源层(b7)上，并且其边缘与第二有源层(b7)边缘重叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是：在第一源极(b1)、第二源极(b9)、第一漏极(b2)、第二漏极(b10)和第一有源层(b3)、第二有源层(b7)之间还具有一半导体层(b8)，该半导体层(b8)包覆第一有源层(b3)、第二有源层(b7)的侧壁；在第二有源层(b7)上方还设有一背沟道钝化保护层(b12)。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征是：所述基板(b11)为玻璃基板、塑料基板中的一种；所述第一源极(b1)、第一漏极(b2)、栅极b5为铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或者氧化锡中的一种；所述第一有源层(b3)、第二有源层(b7)为非晶硅基、多晶硅基或者氧化锌基中的一种；所述第一绝缘层(b4)为氮化物、氮氧化物或者氧化物中的一种。

4.权利要求1至3中任一项所述薄膜晶体管的制造方法，其特征在于如下步骤：

(1)提供一基板(b11)，并形成第一源极(b1)和第一漏极(b2)于基板(b11)上；

(2)接着，形成第一有源层(b3)于第一源极(b1)和第一漏极(b2)之间，并且第一有源层(b3)、第二有源层(b7)的边缘与第一源极b1和第一漏极(b2)的边缘重叠；

(3)接着，形成第一绝缘层(b4)于基板(b11)上，并覆盖第一有源层(b3)，其分布面积大于第一有源层(b3)；

(4)接着，形成栅极(b5)于第一绝缘层(b4)上，栅极(b5)与第一有源层(b3)相对应，其分布面积小于第一有源层(b3)；

(5)接着，形成第二绝缘层(b6)于栅极(b5)上，第二绝缘层(b6)与第一绝缘层(b4)相对应；

(6)接着，形成第二有源层(b7)于第二绝缘层(b6)上，第二有源层(b7)对应于栅极(b5)且其分布面积大于栅极(b5)；

(7)最后，形成第二源极(b9)与第二漏极(b10)于第二有源层(b7)上，第二源极(b9)与第二漏极(b10)分别对应栅极(b5)的两端，并分别与第二有源层(b7)的两端接触，单栅双沟道结构的薄膜晶体管制作完毕。

5.具有单栅双沟道结构的薄膜晶体管，其特征是：包括基板(c11)、第一源极(c1)、第一漏极(c2)、栅极(c5)及第一有源层(c3)、第二有源层(c7)；所述第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第一部分形成于基板(c11)上；所述第一有源层(c3)形成于第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第一部分之间，其边缘与第一源极(c1)、第一漏极(c2)第一部分的边缘重叠；所述第一绝缘层(c4)形成于第一有源层(c3)与第一源极(c1)、第一漏极(c2)之上，并且在第一源极(c1)、第一漏极(c2)上方留下通孔；所述栅极(c5)对应第一有源层(c3)并形成于第一绝缘层(c4)上，并且在形成栅极(c5)的同时，通过通孔形成第一源漏极的第二部分；所述第二绝缘层(c6)形成于栅极(c5)和第一绝缘层(c4)中未被薄膜覆盖之处的上方；所述第二有源层(c7)对应第一有源层(c3)并形成于第二绝缘层(c6)上；所述第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第三部分形成于第一源极(c1)、第一漏极(c2)第二部分和第二绝缘层(c6)之上，并且其边缘与第二有源层(c7)边缘重叠。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征是：在第一源极(c1)、第一漏极(c2)和第一有源层(c3)、第二有源层(c7)之间设有半导体层(c8)；并包覆有源层第一有源层(c3)、第二有源层(c7)的侧壁；在第二有源层(c7)上方设有背沟道钝化保护层(c12)。

7.权利要求5或6中任一项所述薄膜晶体管的制造方法，其特征是如下步骤：

(1)首先，提供一基板(c11)，并形成第一源极(c1)和第一漏极(c2)的第一部分于基板(c11)上；其中，基板(c11)包含玻璃基板、塑料基板或绝缘基板，第一源、漏极包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、氧化锡、金属或合金；

(2)接着，形成第一有源层(c3)于第一源漏极(c2)之间，并且有源层(c3)边缘与第一源极(c1)、第一漏极(c2)边缘重叠；其中，第一有源层(c3)包含非晶硅基、多晶硅基、氧化锌基以及有机半导体材料；

(3)接着，形成第一绝缘层(c4)于基板(c11)上，并且在第一源漏极(c2)上方留下通孔；其中，第一绝缘层(c4)包含氮化物、氮氧化物或氧化物；

(4)接着，淀积一层导电薄膜，该导电薄膜覆盖于第一绝缘层(c4)上的那部分作为栅极(c5)，覆盖于通孔上方的那部分与第一源极(c1)、第一漏极(c2)分别实现电连接，并作为第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第二部分，导电薄膜材料与第一源漏极材料相同；

(5)接着，形成第二绝缘层(c6)于栅极(c5)和第一绝缘层(c4)中未被导电薄膜覆盖的那部分之上；第二绝缘层(c6)材料与第一绝缘层(c4)相同；

(6)接着，形成第二有源层(c7)于第二绝缘层(c6)上，第二有源层(c7)对应于栅极(c5)且其分布面积大于栅极(c5)；其中，第二有源层(c7)材料与第一有源层(c3)相同；

(7)最后，形成第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第三部分于第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第二部分和第二绝缘层(c6)之上，并且其边缘与第二有源层(c7)边缘重叠，而且与第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第二部分实现良好的电连接，其中，第一源极(c1)、第一漏极(c2)的第三部分材料与第一部分相同，单栅双沟道结构的薄膜晶体管制作完毕。