[发明专利]具有受限电荷扩散的电荷捕集存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种制作存储器装置的方法，所述方法包含：

蚀刻至少部分地覆盖衬底上的外围电路及经隔离区的第一半导体层以形成沟槽，从而暴露所述经隔离区；及

在所述沟槽的底部处蚀刻所述经隔离区以将所述沟槽加深到大致低于所述第一半导体层处。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在所述经蚀刻的第一半导体层及所述加深到大致低于所述第一半导体层处的沟槽的表面上保形地形成作用电介质堆叠。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含：

用第二导电层至少部分地填充所述加深到大致低于所述第一半导体层处的沟槽，以形成存储器单元阵列。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

在所述经隔离区上形成存储器阵列层，其中所述存储器装置包含三维存储器装置。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述经隔离区上方蚀刻所述第一半导体层进一步包含：

图案化所述第一半导体层以形成大致平行的多个半导体线。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一半导体层包含所述存储器单元的沟道区。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二导电层包含所述存储器单元的源极线及/或栅极线。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元阵列包含电荷捕集NAND存储器单元阵列。

9.一种存储器装置，其包含：

电荷捕集存储器单元阵列，其包含：

作用电介质堆叠，其保形地覆盖形成于衬底上的经隔离区上的半导体线；及

导电层，其至少部分地覆盖所述作用电介质堆叠，其中所述导电层的至少若干部分延伸到大致低于所述半导体线处。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述作用电介质堆叠的至少若干部分延伸到大致低于所述半导体线处。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其进一步包含：

所述经隔离区上的一个或一个以上存储器阵列层，其中所述存储器装置包含三维存储器装置。

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述半导体线包含所述电荷捕集存储器单元的沟道区。

13.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述导电层包含所述电荷捕集存储器单元的源极线及/或栅极线。

14.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述电荷捕集存储器单元阵列包含电荷捕集NAND存储器单元阵列。

15.一种系统，其包含：

存储器装置，其包含：

电荷捕集存储器单元阵列，其包含

作用电介质堆叠，其保形地覆盖形成于衬底上的经隔离区上的半导体线，及

导电层，其至少部分地覆盖所述作用电介质堆叠，其中所述导电层的至少若干部分延伸到大致低于所述半导体线处；及

存储器控制器，其用以操作所述存储器装置，及

处理器，其用以代管一个或一个以上应用程序且用以起始给所述存储器控制器的写入命令以提供对所述存储器阵列中的存储器单元的存取。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述作用电介质堆叠的至少若干部分延伸到所述经隔离区中。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述系统进一步包含：

所述衬底上的一个或一个以上存储器阵列层，其中所述存储器装置包含三维存储器装置。

18.根据权利要求15所述的系统，其中所述半导体线包含所述电荷捕集存储器单元的沟道区。

19.根据权利要求15所述的系统，其中所述导电层包含所述电荷捕集存储器单元的源极线及/或栅极线。

20.根据权利要求15所述的系统，其中所述电荷捕集存储器单元包含电荷捕集NAND存储器单元。