[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管显示基板无效
| 申请号: | 201110102863.6 | 申请日: | 2011-04-22 |
| 公开(公告)号: | CN102208434A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
| 发明(设计)人: | 孟志国;丁思唯;李娟;熊绍珍 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 显示 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示器技术,特别是一种有源矩阵有机发光二极管显示基板。
背景技术
有源矩阵选址有机发光二极管(AMOLED)显示器技术是近十年几年涌现出的先进显示器技术。其通常采用高性能薄膜晶体管(TFT)构成显示信息的寻址、驱动电流的提供和控制的基板,配以可发出红、绿、蓝三基色光的有机薄膜发光二极管构成全彩色超薄平板显示器。AMOLED具有自发光、高分辨率、高对比度、全视角、饱和色快速响应和体积轻巧、低功耗、无辐射等特性,全球几乎所有的大型平板显示器公司都投入巨资对该技术进行了研究和产品的开发工作,如文章:1)Challenges to Am-oled Technology for Mobile Display KIM H.D.Samsung Sdi Co.,Ltd.,Kyungki-do,Kor;2)用于数字地驱动有源矩阵有机发光二极管的方法和装置三星电子株式会社申请人地址:韩国京畿道发明设计人:朴容允;金钟善;白钟学。中国相关的高校、研究所和显示器公司同期开展了关于AMOLED的研究工作,并提出了一系列相关的具有自主知识产权的专利技术,如“一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式”,孟志国、杭力、吴春亚;“低温多晶硅TFT-OLED耦合对稳定性的研究”,孟志国南开大学,郭海城香港科技大学。AMOLED的显示器技术已经进行了被业界确立LCD之后第三带显示器技术。小尺寸AMOLED显示器已经在高端手机显示屏、高端显示终端上应用,大面积超薄显示器如大尺寸电视机和显示终端等将成为产业产品目标。
随着OLED面板显示尺寸的增大,由于导线电阻的存在,首先就会产生功率耗散,增加能源消耗。而且,此耗散功率将转化为热能,使基板温度增高,从而降低OLED特别是其有机材料层的寿命。其次长线电极的末端电压与初始点电压相比,会产生一个电压降,这将会影响显示基板发光均匀性。以上各项问题在小面积AMOLED基板上,影响并不严重,因此,公共电源供给线梳状结构在小面积AMOLED基板上被广泛采用。但是随着AMOLED显示基板尺寸的增大,基板所需驱动电流与显示尺寸平方成正比,长线电阻与显示尺寸成正比,功率N=I2R,所以此功耗会随显示尺寸的增加按5次方关系迅速增加。所以,大面积AMOLED由于结构和自发光的特点,降低公共电极功率耗损,减少公共电极上的电压变化量是在基板设计中将面对和必需解决的技术关键!因此,采用新型基板设计和相应的基板制备工艺形成的低功耗有源矩阵有机发光二极管显示基板及制备方法,对大面积AMOLED显示基板制造产业具有重要的应用价值。
发明内容
本发明的目的是针对上述技术分析,提供一种有源矩阵有机发光二极管显示基板,以满足大面积AMOLED显示器低功率耗散、控制基板发热、延长OLED寿命、增强显示器发光均匀性等要求。
本发明的技术方案:
一种有源矩阵有机发光二极管显示基板,由像素单元集合而成,像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线vdd、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED,其特征在于:公共电源供给线vdd由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成,同时公共电源供给线与数据线互不干扰,两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛相互连接并形成网状结构,与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与环状公共电极供给线相连接。
所述网状公共电源供给线和环状公共电源供给线为铜或铝。
所述像素单元的大小为100um×100um到400um×400um,相对应的有源矩阵有机发光二极管显示基板的显示尺寸为5英寸至100英寸。
本发明的优点是:在相同显示面积,相同显示亮度情况下,采用本发明的网拍状电极其电极总功率耗散为常用的梳状电极总功率耗散的16.1%,在相同显示面积,相同显示亮度情况下,采用本发明的网拍状电极其电极最大直流电压降为常用的梳状电极最大直流电压降的27.3%。由此可见,该发明对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降问题提供了有效的方法。
附图说明
图1为OLED显示基板的像素单元的结构原理图。
图2为该显示基板中相邻像素单元之间的公共电源供给线连接局部平面结构示意图。
图3为该显示基板的网状公共电源供给线平面结构示意图。
图4为该显示基板中与环线相接的像素单元的公共电源供给线连接剖视结构示意图。
图5为梳状电极结构显示基板的节点计算用等效图。
图6为网拍状电极结构显示基板的节点计算用等效图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





