[发明专利]一种槽型功率MOSFET器件

权利要求书

1.一种槽型功率MOSFET器件，包括P^-衬底，P^-衬底顶部的N⁺源区、P阱区、轻掺杂漏区和N⁺漏区，P^-衬底部的N⁺源接触区，栅氧化物、场氧化物、表面源极金属场板、隔离氧化物，以及源电极、漏电极和栅电极，其特征在于：还包括N⁺槽区，N⁺槽区的纵向长度穿过P^-衬底直到器件底部的N⁺源接触区，将表面的N⁺源区、表面源极金属场板和底部的N⁺源接触区连通形成等势体，所述背面N⁺源接触区引出端为源电极；

所述的表面源极金属场板覆盖于所述的轻掺杂漏区之上，并覆盖于除栅电极和漏电极区域以外的整个器件表面。

2.一种槽型功率MOSFET器件，包括P^-衬底，P^-衬底顶部的P阱区、轻掺杂漏区和N⁺漏区，P^-衬底部的N⁺源接触区，栅氧化物、场氧化物、表面源极金属场板、隔离氧化物，以及源电极、漏电极和栅电极，其特征在于：还包括N⁺槽区，N⁺槽区为槽型N⁺源区，槽型N⁺源区的纵向长度穿过P^-衬底直到器件底部的N⁺源接触区，将表面源极金属场板和底部的N⁺源接触区连通形成等势体，所述的N⁺源接触区通过背面离子注入形成，引出端为源电极；

所述的表面源极金属场板覆盖于所述的轻掺杂漏区之上，并覆盖于除栅电极和漏电极区域以外的整个器件表面，形成具有槽型源区的功率MOSFET器件。

3.根据权利要求2所述的一种具有槽型源区的功率MOSFET器件，其特征在于：所述的N+槽区做成P⁺槽区，相应的N⁺源接触区做成P⁺源接触区，P⁺槽区表面紧靠P阱区的位置形成N⁺源区，形成具有P型槽区的功率MOSFET器件。

4.根据权利要求1所述的一种槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述的N⁺槽区为金属或者多晶硅填充的槽区，N⁺源区下方设置P⁺埋层做为P阱的接触区，N⁺源区和P⁺埋层都与所述金属或者多晶硅槽区接触，形成具有金属或多晶硅槽区的功率MOSFET器件。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种槽型功率MOSFET器件，其特征在于：在轻掺杂漏区下方设置N型埋层，形成具有N型埋层的槽型功率MOSFET器件。

6.根据权利要求5所述的一种具有N型埋层的槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述的N型埋层的位置在距离底部N⁺源接触区为P^-衬底厚度的1/2及其之上位置，所述的N型埋层的横向宽度大于N⁺漏区的宽度，且小于轻掺杂漏区的宽度。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的一种槽型功率MOSFET器件，其特征在于：在紧靠轻掺杂漏区下方设置部分介质埋层，形成具有部分介质埋层的槽型功率MOSFET器件。

8.根据权利要求7所述的一种槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述部分介质埋层材料的介电系数应小于硅的介电系数，包括但不局限于二氧化硅或者是氮化硅材料，部分介质埋层的横向宽度应大于N⁺漏区的宽度，小于轻掺杂漏区的宽度。

9.根据权利要求1或2或3或4所述的一种槽型功率MOSFET器件，其特征在于：N沟道也可做成P沟道，形成一种P沟道槽型功率MOSFET器件，P沟道槽型功率MOSFET器件的所有半导体区域的导电类型应与N沟道槽型功率MOSFET器件相反。

10.根据权利要求1所述的一种槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述的场氧化物的厚度控制在100nm~500nm之间。