[发明专利]一种像素结构及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，具体地，涉及一种像素结构及其制造方法、显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)的生产领域，像素结构的开口率是一个重要的产品指标。像素结构的开口率是指在每个像素结构中，除去每一个像素结构的配线部、晶体管部(通常采用黑色矩阵隐藏)后光线通过的那一部分的面积与每一个像素结构整体的面积之间的比值，开口率越高，光线通过的效率越高，同时，高开口率的像素结构在提高液晶面板的清晰度、亮度以及节省能源等方面都具有重要意义。

图1为现有技术中像素结构的结构示意图。如图1所示，像素结构从下到上依次包括阵列基板101、公共电极102、栅电极(图中未示出)、绝缘层104、数据线105、钝化层106、像素电极107、取向膜114、液晶层108、绿(Green，G)彩膜111、红(Red，R)彩膜112、遮光膜110和彩膜基板113。在像素结构的制备过程中，由于在像素结构的数据线上会不可避免地出现坡度角现象，所以，像素结构在暗态的条件下，分布在数据线105两侧附近液晶层中的液晶分子将会在垂直于阵列基板的方向上发生一定的偏转，导致液晶层发生漏光，从而影响对比度。为了遮挡该区域的漏光，现有技术中通常是采用增加数据线105上遮光膜110的宽度来降低液晶层的漏光现象对面板质量产生的影响。

但是，增加数据线105上遮光膜110的宽度会大幅降低像素结构的开口率，以32英尺大小像素结构为例，像素结构中遮光膜110的宽度增加1um，则像素结构的开口率就会降低近1％，因此，液晶面板的透过率也将有大幅降低。所以，液晶层108的漏光现象严重制约着像素结构开口率的提高。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种像素结构及其制造方法、显示装置，用于解决现有技术中液晶层的漏光现象，以及液晶层的漏光现象制约像素结构开口率提高的问题。

为此，本发明提供一种像素结构，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其特征在于，

在所述阵列基板和所述彩膜基板上所对应的漏光区域设置第一电极与第二电极，所述第一电极和第二电极之间形成垂直电场用于控制液晶层中液晶分子的偏转以阻止所述液晶层漏光。

上述的像素结构中，其中，所述第一电极和第二电极在所述阵列基板和彩膜基板上的分布覆盖数据线。

上述的像素结构中，其中，所述第一电极和第二电极在所述阵列基板和彩膜基板上的分布在数据线的两侧。

上述的像素结构中，其中，所述第一电极和第二电极的厚度范围在20-100nm之间；所述第一电极和第二电极之间的电压在0.1-5V之间。

上述的像素结构中，其中，所述第一电极的材料包括铝、银或铜；所述第二电极的材料包括氧化铟锡或铟锌氧化物。

本发明还提供了一种显示装置，该显示装置由上述像素结构构成。

本发明还提供了一种像素结构的制造方法，包括：

在阵列基板上制备公共电极；

制备栅电极和第一电极；

制备绝缘层、数据线、钝化层以及像素电极，得到阵列基板；

在彩膜基板上制备遮光膜、彩膜和光阻隔层；

制备第二电极，得到彩膜基板；

将阵列基板和彩膜基板进行对盒封装，以得到像素结构。

上述的方法，其中，在所述阵列基板上制备栅电极和第一电极中包括：

所述阵列基板上的第一电极和栅电极是由同一金属层通过光刻和刻蚀工艺制备得到。

上述的方法，其中，所述在彩膜基板上制备第二电极中包括：

在制备有遮光膜、彩膜和光阻隔层的彩膜基板上沉积一层透明导电物质层，所述透明导电物质层通过光刻和刻蚀工艺制备得到所述第二电极。

采用本发明提供的技术方案，在阵列基板内设置第一电极，在彩膜基板内设置第二电极，第一电极和第二电极分别位于液晶层的两侧，第一电极和第二电极之间的电场使液晶层中的液晶分子在垂直于遮光膜的方向上排列，以阻止液晶层发生漏光现象，确保像素结构的对比度，此外还有利于减少遮光膜的宽度，降低了液晶层的漏光现象对提高像素结构开口率的制约，从而能有效提高本实施例像素结构的开口率。

附图说明

图1为现有技术中像素结构的结构示意图；

图2为本发明像素结构实施例一的结构示意图；

图3为本发明像素结构实施例二的结构示意图；