[发明专利]一种像素结构及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种像素结构，包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其特征在于，

在所述阵列基板和所述彩膜基板上所对应的漏光区域设置第一电极与第二电极，所述第一电极和第二电极之间形成垂直电场用于控制液晶层中液晶分子的偏转以阻止所述液晶层漏光。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

所述第一电极和第二电极在所述阵列基板和彩膜基板上的分布覆盖数据线。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

所述第一电极和第二电极在所述阵列基板和彩膜基板上的分布在数据线的两侧。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

所述第一电极和第二电极的厚度范围在20-100nm之间；

所述第一电极和第二电极之间的电压在0.1-5V之间。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，

所述第一电极的材料包括铝、银或铜；

所述第二电极的材料包括氧化铟锡或铟锌氧化物。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任意一项所述的像素结构。

7.一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：

在阵列基板上制备公共电极；

制备栅电极和第一电极；

制备绝缘层、数据线、钝化层以及像素电极，得到阵列基板；

在彩膜基板上制备遮光膜、彩膜和光阻隔层；

制备第二电极，得到彩膜基板；

将阵列基板和彩膜基板进行对盒封装，以得到像素结构。

8.根据权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于，在所述阵列基板上制备栅电极和第一电极中包括：

所述阵列基板上的第一电极和栅电极是由同一金属层通过光刻和刻蚀工艺制备得到。

9.根据权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述在彩膜基板上制备第二电极中包括：

在制备有遮光膜、彩膜和光阻隔层的彩膜基板上沉积一层透明导电物质层，所述透明导电物质层通过光刻和刻蚀工艺制备得到所述第二电极。