[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置

说明书

本申请是原申请的申请日为2005年9月30日，申请号为200580034993.3，发明名称为“粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明是关于粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。

背景技术

近年来，机动性相关机器的多功能化及轻量小型化的需求迅速增高。随之，相对于半导体元件的高密度安装的需求年年增加，尤其以层叠半导体元件的层叠式多芯片封装(以下称为“层叠式MCP”)的开发为其中心。

层叠式MCP的技术开发，是封装的小型化与多段装载的所谓相反目标的兼顾。因此，半导体元件所使用的硅晶片的厚度，迅速进行薄膜化，积极研究、使用厚度为100μm以下的晶片。另外，多段装载，由于造成封装制作步骤的复杂化，寻求封装制作步骤的简化、及对应于因多段装载的引线接合的热经历次数增加的制作工艺、材料的提案。

在这样的状况中，使用早期以来的糊状材料作为层叠式MCP的粘接部件。但是，糊状材料在半导体元件的粘接工艺中，产生树脂的挤出，有膜厚精确度降低的问题。这些问题，成为产生引线接合时的不适，或造成糊状剂的空隙等的原因，在使用糊状材料时，并无对上述的要求的处理方案。

为改善这样的问题，近年来有使用薄膜状的粘接剂替代糊状材料的倾向。薄膜状的粘接剂与糊状材料比较，可控制半导体元件的粘接工艺中的挤出量为少量，且提高薄膜的膜厚精确度，能减少膜厚的偏差，故而积极研究对层叠式MCP的使用。

此粘薄膜状粘接剂，通常具有在剥离基材上形成粘接层的结构。薄膜状粘接剂的代表性的使用方法之一为晶片背面贴合法。所谓晶片背面贴合法，是指在半导体元件制作中所使用的硅晶片的背面，直接贴合薄膜状粘接剂的方法。此方法中，在对半导体晶片进行薄膜状粘接剂的贴合后，去除剥离基材，在粘接层上贴合切割胶带。其后安装于晶片环，对晶片连同粘接层进行切削加工成为所期望的半导体元件尺寸。切割后的半导体元件，成为在背面具有切削为同尺寸的粘接层的构造。将此附带有粘接层的半导体元件拾取装载于衬底，以热压粘接等方法粘贴合。

此背面贴合方式中采用的切割胶带，通常具有在基材薄膜上形成粘着层的结构，大致分为感压型切割胶带与UV型切割胶带两种。要求于切割胶带的功能为，在切割时，要求不使半导体元件由于晶片切断所伴随的负荷而飞散的充分粘着力。另外，在拾取切割的半导体元件之际，要求各元件无粘着剂残留，接合设备可以轻易拾取附带有粘接层的半导体元件。

另外，由于封装制作步骤的缩短化的要求，进而改善工艺的要求更为提高。以往的晶片背面贴合方式中，需要在对晶片贴合薄膜状粘接剂后，贴合切割胶带的两个步骤。因而，为简化此工艺，进行开发兼具薄膜状粘接剂与切割胶带两者功能的粘接片(接合切割薄片)。此粘接片有，具有贴合薄膜状粘接剂与切割胶带的结构的层叠型(例如参照专利文献1～3)或、以一个树脂层兼备粘着层与粘接层的功能的单层型(例如参照专利文献4)。

另外，有预先将这样的粘接片加工为构成半导体元件的晶片的形状的方法(所谓预先切断加工)(例如参照专利文献5、6)。这样的预先切断加工，是使树脂层冲切为符合所使用的晶片的形状，将粘贴于晶片部分以外的树脂层剥离的方法。

施行这样的预先切断加工时，层叠型的粘接片，一般而言，是使粘薄膜状粘接剂的粘接层进行预先切断加工成符合晶片的形状，在其与切割胶带粘贴后，对此切割胶带施行符合晶片环形状的预先切断加工；或者，通过使预先施行符合晶片环形状的预先切断加工的切割胶带，与施行预先切断加工的薄膜状粘接剂贴合制作而得。

另外，单层型的粘接片，一般而言，是通过在剥离基材上形成具有粘接层与粘着层的功能的树脂层(以下称为“粘接着层”)，对此粘接着层进行预先切断加工，在去除树脂层的不要部分后，与基材薄膜贴合等方法制作而得。

专利文献1：专利第3,348,923号公报

专利文献2：特开平10-335271号公报

专利文献3：专利第2,678,655号公报

专利文献4：特公平7-15087号公报

专利文献5：实公平6-18383号公报

专利文献6：登录实用新案3,021,645号公报

发明内容

发明要解决的问题