[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.半导体装置的制造方法，其特征为，包括：

对于按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的、并且所述粘接层具有规定的第1平面形状且部分性地形成于所述剥离基材上、所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触的粘接片，将由所述粘接层、所述粘着层及所述基材薄膜所成的层叠体从所述剥离基材上剥离，将所述层叠体以所述粘接层为中介贴合于半导体晶片，得到附有层叠体的半导体晶片的贴合步骤；

通过切割所述附有层叠体的半导体晶片，得到规定尺寸的附有层叠体的半导体元件的切割步骤；

以高能量射线照射所述层叠体的所述粘着层，使所述粘着层对于所述粘接层的粘着力降低后，将所述粘着层及所述基材薄膜从所述粘接层上剥离，得到附有粘接层的半导体元件的剥离步骤；

将所述附有粘接层的半导体元件，以所述粘接层为中介粘接于半导体元件搭载用的支持部件的粘接步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述剥离基材上，沿着所述第1平面形状的周边，从与所述粘接层接触的一侧的面形成有第1切入部分，所述第1切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，以所述剥离基材的厚度为a(μm)，以所述第1切入部分的切入深度为d1(μm)，(d1/a)的值满足下述式(1)的条件，

0＜(d1/a)≤0.7    (1)。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中，所述粘着层及所述基材薄膜具有规定的第2平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；

所述剥离基材上，沿着所述第2平面形状的周边，从与所述粘着层接触的一侧的面形成有第2切入部分；

所述第2切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，以所述剥离基材的厚度为a(μm)，以所述第2切入部分的切入深度为d2(μm)，(d2/a)的值满足下述式(2)的条件，

0＜(d2/a)≤0.7    (2)。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述粘接层具有与剥离所述剥离基材后所述粘接层应该贴合的被粘附体的平面形状相符合的平面形状。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述粘着层为，对于剥离所述剥离基材后所述粘着层应该贴合的被粘附体和所述粘接层而言，于室温下具有粘着力。

8.根据权利要求1至7的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述粘着层为借助高能量射线的照射，对于所述粘接层的粘着力降低。

9.半导体装置，其特征为，通过权利要求1至8的任一项所述的半导体装置的制造方法而制造。