[发明专利]连续扩散处理装置无效
申请号: | 201110052724.7 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102299060A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 森川清彦;笠次克尚;西村圭介;芦田忍 | 申请(专利权)人: | 光洋热系统株式会社 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/677;H01L21/68;C30B31/06;C30B31/16 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 扩散 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种连续扩散处理装置。
背景技术
例如,在利用结晶硅的太阳能电池单元制造过程中,需要进行扩散处理,即,使由规定元素构成的杂质附着在硅制的被处理件(晶片)的表面,并使该杂质扩散到被处理件的内部。作为进行所述扩散处理的扩散处理装置,例如有批处理式的。该批处理式装置具备加热被处理件的加热炉,该加热炉的大小只是能够容纳装载多个被处理件的托盘。
在将被处理件送入该加热炉中后,向该加热炉内提供含有杂质的气体,并提高加热炉内温度,使杂质扩散到被处理件的内部。之后,在加热炉内降温后,将被处理件从加热炉取出。
在使用所述批处理式加热炉的情况下,虽然希望能够提高处理质量,但实际上在加热炉内进行扩散处理的时间前后,必须要有将炉内温度提高到规定温度的时间和将炉内温度降低的时间,因此不能连续处理被处理件,从而难以提高生产效率。
所以,如专利文献1所公开的连续扩散处理装置包括:筒状的加热炉;输送器,排列被处理件并在加热炉内输送被处理件;加热装置,对通过加热炉内的被处理件进行加热;以及供给装置,向加热炉内提供含有杂质的气体。
所述输送器具有陶瓷制的环状链条,该环状链条的行进的通路是边在设置于加热炉内的轨道上滑动,边通过加热炉内。
装载有被处理件的输送台被放置在所述行进的通路上,利用该环状链条转动,使该被处理件通过加热炉内,对该被处理件连续进行扩散処理。
专利文献1:日本专利公开公报特开平9-298163号
按照专利文献1所记载的装置,能够对被处理件连续进行处理,从而可以提高生产效率。但是,在输送被处理件时,由于在加热炉内链条在轨道上滑动,所以因磨损从链条和轨道中的一方或双方产生粉尘,有可能对扩散处理的被处理件的质量产生坏影响。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种连续扩散处理装置,该连续扩散处理装置在输送被处理件时,能够抑制对该被处理件的处理质量造成坏影响的粉尘的产生。
本发明的连续扩散处理装置包括:输送台,装载多张处于垂直立起状态的板状的被处理件;筒状的加热炉,从送入所述输送台的送入部到送出所述输送台的送出部以直线状延伸;输送装置,将所述输送台从所述送入部向所述加热炉内依次送入,并将已在所述加热炉内输送的所述输送台从所述送出部依次送出;加热装置,对通过所述加热炉内的所述输送台上装载的所述被处理件进行加热;以及供气装置,向所述加热炉内提供用于扩散处理的气体,所述输送台具有车轮部,所述车轮部利用滚动轴承在所述加热炉的底面上滚动。
按照本发明,由于输送台具有利用滚动轴承在加热炉的底面上滚动的车轮部,所以与伴有滑动的以往的结构相比,能够抑制因在加热炉内的磨损而产生粉尘。
此外,连续扩散处理装置还包括排气结构部,所述排气结构部设置在所述加热炉底部,且在内部具有将所述加热炉内的气体向所述加热炉外导出的排气流路,所述排气结构部沿所述输送台的输送方向呈直线配置,并沿所述输送方向引导由所述输送装置输送的输送台。
在这种情况下,把向外部排出加热炉内的气体的排气结构部兼作向输送方向引导输送台的引导装置。
此外,在这种情况下优选的是,所述输送台具有:主体部,位于所述排气结构部的上方,装载所述被处理件;以及导向块,安装在所述主体部的左右两侧,并配置成与所述排气结构部的左右两侧之间具有间隙。
在这种情况下,输送台成为跨立在排气结构部上的状态,被排气结构部沿输送方向引导。
此外优选的是,所述输送台具有间隔件,当在所述加热炉内输送的状态下,所述间隔件填补在所述输送台上装载的被处理件和与其相邻的输送台上装载的被处理件之间。
多个输送台成列地通过加热炉内,如果在相邻的输送台上分别装载的被处理件之间存在有较大的间隙,则在输送台的端部产生气流的紊流,有可能导致在输送台端部一侧的被处理件和在中央部位的被处理件之间处理质量产生波动,但利用所述间隔件可以防止气流的紊流,能够使处理质量均一化。
此外优选的是,所述输送台具有刷子,所述刷子安装在所述输送台的下部,与所述加热炉底面接触。
在这种情况下,如果输送输送台,则可以将堆积在加热炉底面上的异物清扫到加热炉外。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造