[发明专利]固体摄像装置

说明书

技术领域

本发明涉及固体摄像装置。

背景技术

设置了CCD(Charge Coupled Device)或CMOS传感器(Complementary Metal Oxide Semicondutor Sensor)这样的固体摄像元件的固体摄像装置广泛应用于便携电话、静物摄影机、视频摄影机、个人计算机等。伴随着这些电子设备的小型化、高性能化等，也要求固体摄像装置小型化、高性能化。

在固体摄像装置中，为谋求小型化，例如在摄像元件基板上设置贯通电极，所述贯通电极将摄像元件基板中的形成有固体摄像元件的一侧的表面和与其相反侧的背面电连接，固体摄像元件的布线从所述表面侧向背面侧引出。所述摄像元件基板的背面侧的电极和形成在安装基板上的电极，通过焊料球直接连接。作为摄像元件基板，例如使用硅基板。

考虑到形成贯通电极时的生产率(through put)，摄像元件基板的厚度多较薄地形成为例如10μm左右。由于硅的摄像元件基板变薄，所以产生如下问题：从背面入射到固体摄像元件的红外光的量增大并透入到固体摄像元件。

日本特开2009-99591号公报公开了在摄像元件基板的背侧表面上设置了遮光层的固体摄像装置，所述遮光层分散有碳粒子、颜料粒子这样的粒子。

该固体摄像装置的遮光层不仅具有遮蔽从背面入射的红外光的效果，还具备遮蔽可见光的效果。因此，若为了提高遮蔽红外光的效果而增厚遮光层，则遮蔽可见光的效果也增大，从而附加遮光层后，利用可见光的用于摄像元件基板和转印掩膜的定位的校准变得不好，可能使成品率降低。

发明内容

根据一个实施方式，提供一种具有半导体基板的固体摄像装置。半导体基板具有相互对置的第1和第2主面，具有从第1主面延伸到第2主面的贯通孔。摄像元件部形成在从所述半导体基板的第1主面外延的表面区域。第1绝缘膜为形成在所述第1主面上的层间绝缘膜。布线电极形成在所述层间绝缘膜中，与所述摄像元件部连接。

第2绝缘膜覆盖在所述贯通孔的表面上和所述第2主面上，且所述布线电极的至少一部分不被覆盖，含有遮蔽红外线的多个粒子，遮蔽红外线，透过可见光。导电体膜与所述布线电极接触，且形成在所述第2绝缘膜上，引出到所述第2主面侧。

根据另一实施方式，提供一种具有半导体基板的固体摄像装置。半导体基板具有相互对置的第1和第2主面，具有从第1主面延伸到第2主面的贯通孔。摄像元件部形成在从所述半导体基板的第1主面外延的表面区域。第1绝缘膜为形成在所述第1主面上的层间绝缘膜。

布线电极形成在所述层间绝缘膜中，与所述摄像元件部连接。第2绝缘膜覆盖在所述贯通孔的表面上和所述第2主面上，且所述布线电极的至少一部分不被覆盖。导电体膜形成为覆盖所述第2绝缘膜，与所述布线电极接触，引出到所述第2主面侧。第3绝缘膜覆盖所述导电体膜，含有遮蔽红外线的多个粒子，遮蔽红外线，透过可见光。

附图说明

图1是示意性地表示组装了第1实施方式的固体摄像装置的摄影机模块的结构的剖面图。

图2是示意性地表示第1实施方式的固体摄像装置的一部分及安装基板的剖面图，是将与由图1的虚线的椭圆围成的部分相对应的部分放大并具体表示的图。

图3是示意性地表示遮蔽红外线的绝缘膜的具体结构的剖面图。

图4A～4F是示意性地表示第1实施方式的固体摄像装置的制造工序的剖面图。

图5是表示绝缘膜(多个)和半导体基板的透光率的波长依存性的图。

图6是示意性地表示第1实施方式的变形例的固体摄像装置的一部分的剖面图，是具体表示与由图1的虚线的椭圆围成的部分相对应的部分的图。

图7A是示意性地表示第2实施方式的固体摄像装置的一部分的剖面图，是具体表示与由图1的虚线的椭圆围成的部分相对应的部分的图。

图7B是遮蔽红外线的绝缘膜的剖面图。

图8是示意性地表示第3实施方式的固体摄像装置的一部分的剖面图，是具体表示与由图1的虚线的椭圆围成的部分相对应的部分的图。

具体实施方式

以下参照附图说明多个实施方式。在附图中，同一符号表示同一或类似部分。

以下将半导体基板的形成有摄像元件一侧的面称为表面或第1主面，将相反侧的面称为背面或第2主面。

参照图1～图3说明第1实施方式的固体摄像装置。

图1是示意性地表示安装了第1实施方式的固体摄像装置的摄影机模块的结构的剖面图。