[发明专利]固体摄像装置无效
| 申请号: | 201110048238.8 | 申请日: | 2011-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN102194841A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 小松公;辻均;布施香织;斋藤和行 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈萍 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,其特征在于,具备:
半导体基板,具有相互对置的第1和第2主面,具有从第1主面延伸到第2主面的贯通孔;
摄像元件部,形成在从所述半导体基板的第1主面外延的表面区域;
第1绝缘膜,为形成在所述第1主面上的层间绝缘膜;
布线电极,形成在所述层间绝缘膜中,与所述摄像元件部连接;
第2绝缘膜,覆盖在所述贯通孔的表面上和所述第2主面上,且所述布线电极的至少一部分不被覆盖,含有遮蔽红外线的多个粒子,遮蔽红外线,透过可见光;及
导电体膜,与所述布线电极接触,且形成在所述第2绝缘膜上,引出到所述第2主面侧。
2.如权利要求1记载的固体摄像装置,其特征在于,还具备:
绝缘保护膜,形成在所述导电体膜上。
3.如权利要求1记载的固体摄像装置,其特征在于,还具备:
黑色绝缘膜,覆盖所述绝缘保护膜。
4.如权利要求1记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述第2绝缘膜具有将所述多个粒子分散到树脂之中的结构。
5.如权利要求4记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个粒子的表面被绝缘膜覆盖。
6.如权利要求4记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个粒子包含从SnO2-Sb2O3系氧化物或In2O3-SnO2系氧化物中选出的至少一种。
7.如权利要求1记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述布线电极设置在所述贯通孔之上。
8.如权利要求4记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个粒子的平均直径为100nm以下。
9.如权利要求4记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个粒子的平均直径为10~50nm。
10.如权利要求1记载的固体摄像装置,其特征在于,
在所述贯通孔和所述布线电极间的层间绝缘膜的一部分形成有凹孔,埋入所述导电体膜的一部分。
11.如权利要求1记载的固体摄像装置,其特征在于,
第2绝缘膜层叠在从氧化膜或氮化膜中选出的至少一种膜上。
12.一种固体摄像装置,其特征在于,具备:
半导体基板,具有相互对置的第1和第2主面,具有从第1主面延伸到第2主面的贯通孔;
摄像元件部,形成在从所述半导体基板的第1主面外延的表面区域;
第1绝缘膜,为形成在所述第1主面上的层间绝缘膜;
布线电极,形成在所述层间绝缘膜中,与所述摄像元件部连接;
第2绝缘膜,覆盖在所述贯通孔的表面上和所述第2主面上,且所述布线电极的至少一部分不被覆盖;
导电体膜,形成为覆盖所述第2绝缘膜,与所述布线电极接触,引出到所述第2主面侧;及
第3绝缘膜,覆盖所述导电体膜,含有遮蔽红外线的多个粒子,遮蔽红外线,透过可见光。
13.如权利要求12记载的固体摄像装置,其特征在于,还具备:
绝缘保护膜,形成在所述导电体膜和第3绝缘膜之间。
14.如权利要求12记载的固体摄像装置,其特征在于,还具备:
黑色绝缘膜,覆盖所述第3绝缘膜。
15.如权利要求12记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述第3绝缘膜具有将所述多个粒子分散到树脂之中的结构。
16.如权利要求15记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个粒子的表面被绝缘膜覆盖。
17.如权利要求15记载的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个粒子包含从SnO2-Sb2O3系氧化物或In2O3-SnO2系氧化物中选出的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





