[发明专利]半导体系统及其数据训练方法有效
申请号: | 201110040459.0 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102347068A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 尹相植 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/4078 | 分类号: | G11C11/4078;G11C29/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;张文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 系统 及其 数据 训练 方法 | ||
1.一种半导体系统,包括:
半导体存储器,所述半导体存储器被配置为确定在数据模式中是否发生了错误,并产生错误信号;以及
存储器控制器,所述存储器控制器被配置为将所述数据模式提供至所述半导体存储器,并利用所述错误信号来执行针对所述半导体存储器的数据训练。
2.如权利要求1所述的半导体系统,其中,所述半导体存储器包括错误检测电路,所述错误检测电路被配置为通过将针对数据模式执行错误检查所产生的内部错误检查值与由所述存储器控制器提供的外部错误检查值进行比较来产生所述错误信号。
3.如权利要求1所述的半导体系统,其中,所述半导体存储器包括:
错误检查逻辑,所述错误检查逻辑被配置为通过执行针对所述数据模式的错误检查操作来产生内部错误检查值;以及
比较单元,所述比较单元被配置为通过将所述内部错误检查值与外部错误检查值进行比较来产生所述错误信号。
4.如权利要求1所述的半导体系统,其中,所述存储器控制器被配置为利用所述错误信号的移位时间点中的变化,来执行针对所述半导体存储器的数据训练。
5.如权利要求1所述的半导体系统,其中,所述存储器控制器被配置为通过将所述数据模式从所述错误信号的激活时间点移位以检测所述错误信号的去激活持续时间来执行所述数据训练。
6.一种半导体系统,包括:
多个半导体存储器,所述多个半导体存储器被配置为响应于训练模式信号来产生错误信号;以及
存储器控制器,所述存储器控制器被配置为产生用于以期望的定时将所述错误信号激活的所述训练模式信号,并利用所述错误信号来执行针对所述半导体存储器中的一个的数据训练。
7.如权利要求6所述的半导体系统,其中,所述半导体存储器包括:
错误检测电路,所述错误检测电路被配置为根据所述训练模式信号,来执行用于强制性地激活内部错误信号的操作和用于通过将内部错误检查值与由所述存储器控制器提供的外部错误检查值进行比较来激活所述内部错误信号的操作之一;以及
驱动器,所述驱动器被配置为响应于所述内部错误信号而通过驱动错误信号输出端子来产生所述错误信号。
8.如权利要求7所述的半导体系统,其中,所述错误检测电路包括:
错误检查逻辑,所述错误检查逻辑被配置为通过执行针对由所述存储器控制器提供的数据模式的错误检查操作来产生所述内部错误检查值;
反相器阵列,所述反相器阵列被配置为将所述内部错误检查值反相并输出反相内部错误检查值;
多路复用器,所述多路复用器被配置为响应于所述训练模式信号来将所述外部错误检查值或所述反相内部错误检查值输出;以及
比较单元,所述比较单元被配置为通过将所述外部错误检查值与所述多路复用器的输出进行比较,来产生所述内部错误信号。
9.如权利要求6所述的半导体系统,其中,所述存储器控制器被配置为利用所述错误信号的移位时间点中的变化,来执行针对所述多个半导体存储器中的一个的数据训练。
10.如权利要求6所述的半导体系统,其中,所述存储器控制器被配置为通过将所述数据模式从所述错误信号的激活时间点移位以检测所述错误信号的去激活持续时间来执行所述数据训练。
11.如权利要求6所述的半导体系统,其中,所述存储器控制器被配置为将特定的数据模式提供至所述多个半导体存储器之中的未执行训练的半导体存储器,并实质地防止所述错误信号被未执行训练的所述半导体存储器所激活。
12.一种包括存储器控制器和半导体存储器的半导体系统的数据训练方法,所述半导体存储器确定在由所述存储器控制器提供的数据模式中是否发生了错误并将错误信号提供至所述存储器控制器,所述数据训练方法包括以下步骤:
错误信号训练步骤,其中所述存储器控制器检测从所述半导体存储器输出的所述错误信号的激活时间点;以及
写入数据训练步骤,其中所述存储器控制器通过将所述数据模式从所检测到的所述错误信号的所述激活时间点移位,来检测所述错误信号的去激活持续时间。
13.如权利要求12所述的数据训练方法,其中,在所述错误信号训练步骤中,所述存储器控制器向所述半导体存储器提供彼此不同的数据模式,以激活所述错误信号。
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