[发明专利]具有侧结的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

刻蚀衬底以形成沟槽；

在所述沟槽之下的所述衬底中形成结区；

将所述沟槽的底部刻蚀至一定的深度以形成侧结；以及

形成与所述侧结耦接的位线。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成结区的步骤包括在所述沟槽的底部中扩散掺杂剂。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成结区的步骤包括在含掺杂剂气体气氛中执行退火工艺。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成结区的步骤包括以下步骤：

在含掺杂剂气体气氛中执行第一退火工艺；以及

在比所述第一退火工艺更高的温度下执行第二退火工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成结区的步骤包括以下步骤：

将掺杂剂注入到所述沟槽的底部中；以及

执行退火工艺。

6.如权利要求3所述的方法，其中，所述掺杂剂包括N型杂质。

7.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

刻蚀衬底以形成由第一沟槽隔离的多个本体；

形成将所述第一沟槽的底面的一部分暴露出来的内衬层；

在所述第一沟槽的暴露出的底面之下的所述衬底中形成结区；

刻蚀所述结区的一部分以形成侧面被第二沟槽暴露出来的侧结；以及

形成与所述侧结连接并掩埋所述第二沟槽的位线。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在形成内衬层的步骤中，所述第一沟槽的底面的所述一部分包括与所述第一沟槽的底角部相邻的底面。

9.如权利要求7所述的方法，其中，形成内衬层的步骤包括以下步骤：

在包括所述第一沟槽的整个结构之上形成内衬氮化物层；

在所述内衬氮化物层之上形成内衬氧化物层，所述内衬氧化物层被划分为掺杂区和未掺杂区；

将所述内衬氧化物层的掺杂区去除以将所述内衬氮化物层的一部分暴露出来；以及

将所述内衬氮化物层的暴露出的所述一部分去除以将所述第一沟槽的底面的一部分暴露出来。

10.如权利要求9所述的方法，其中，形成内衬氧化物层的步骤包括以下步骤：

形成氧化物层；以及

通过倾斜离子注入工艺将掺杂剂注入到所述氧化物层的一部分中。

11.如权利要求9所述的方法，其中，所述内衬氧化物层包括正硅酸四乙酯TEOS氧化物层。

12.如权利要求9所述的方法，其中，将所述内衬氧化物层的掺杂区去除的步骤包括湿法刻蚀工艺。

13.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

在所述第二沟槽之上形成隔离层，所述隔离层将所述结区暴露出来。

14.如权利要求13所述的方法，其中，形成隔离层的步骤包括以下步骤：

在所述第二沟槽的表面之上形成氧化物层，使得所述氧化物层在侧壁中的所述结区处的厚度小于在其他表面处的厚度；以及

通过清洗工艺将所述氧化物层的一部分去除以将侧壁中的所述结区暴露出来。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成氧化物层的步骤包括等离子体氧化工艺。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述等离子体氧化工艺是通过施加底部偏置来执行的，以产生厚度差。

17.如权利要求7所述的方法，其中，形成结区的步骤包括在所述第一沟槽的底部中扩散掺杂剂。

18.如权利要求7所述的方法，在形成位线的步骤之后还包括以下步骤：

刻蚀所述本体的顶部以形成柱；以及

在所述柱的侧壁之上形成垂直字线。

19.如权利要求7所述的方法，其中，所述本体包括硅本体。

20.如权利要求7所述的方法，其中，形成结区的步骤包括在含掺杂剂气体气氛中执行退火工艺。

21.如权利要求7所述的方法，其中，形成结区的步骤包括以下步骤：

在含掺杂剂气体气氛中执行第一退火工艺；以及

在比所述第一退火工艺更高的温度下执行第二退火工艺。