[发明专利]电光学装置用基板、电光学装置以及电子设备无效
申请号: | 201110035087.2 | 申请日: | 2011-02-09 |
公开(公告)号: | CN102163607A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 佐藤尚 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L51/05;G02F1/167 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;徐健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 装置 用基板 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及电光学装置用基板、具有该电光学装置用基板的电光学装置以及具有该电光学装置的电子设备。
背景技术
作为这种电光学装置用基板的一个例子,例如有如下这样的有源矩阵基板:用于有源矩阵驱动方式的电泳显示装置等的电光学装置,在基板上具有像素电极、用于选择性驱动该像素电极的扫描线、数据线、以及作为像素开关元件的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)。以上的构成要素在基板上形成积层构造。各构成要素由层间绝缘膜分隔而配置在各层,并且经由形成于层间绝缘膜的接触孔(或者也称为“过孔”)适当地电连接。
例如专利文献1中公开了通过使用印刷法在应成膜的区域限定地涂覆材料而制造有机薄膜晶体管的技术。根据这样的技术,能够减少用于形成接触孔的蚀刻工序。
专利文献1:日本特开2009-38337号公报
发明内容
但是,在上述专利文献1中,关于用于将单个或多个晶体管的端子之间电连接的连接线,依然采用蚀刻等方法来形成。因此,存在如下的技术问题:在形成这样的连接线时,需要遍及基板的整个面地进行成膜,存在因在该膜内产生的应力而使基板发生弯曲的危险。此外,由于在进行图案形成时形成于基板整个面的绝缘膜的一部分被去除而浪费掉,因此还存在违反节省资源、低成本的要求的技术问题。
本发明是鉴于例如上述的问题而做出的,其目的在于提供一种能够应对节省资源及低成本的要求、且能够抑制基板的弯曲的电光学装置用基板、电光学装置及电子设备。
为了解决上述问题,本发明的电光学装置用基板是具有排列有多个像素的显示区域的电光学装置用基板,包括:基板;像素电极,其按所述基板上的每个所述像素而设置;晶体管,其设于与所述基板上的所述像素电极相比的下层侧;连接电极,其配置在与构成该晶体管的栅极绝缘膜相比的上层侧,在所述基板上的未形成所述栅极绝缘膜的区域内,该连接电极形成为与所述晶体管的栅电极以及源、漏电极的至少一部分直接重叠,与所述晶体管电连接。
根据本发明的电光学装置用基板,在例如矩阵状地排列有多个像素的显示区域(适当地也称为像素区域或像素显示区域),对按像素设置的像素电极施加图像信号,从而能够实现所谓的有源矩阵方式的图像显示。
本发明的“晶体管”设于与基板上的像素电极相比的下层侧。晶体管是例如按像素而设置的、与像素电极电连接的像素晶体管。该情况下,晶体管排列在矩阵状地排列有多个像素的显示区域中,作为各像素的开关元件发挥功能,从而能进行例如所谓的有源矩阵方式的图像显示。另外,晶体管可以是设于周边区域(即位于显示区域周边的区域)的周边晶体管。此时,晶体管例如被用作用于构成驱动电路(即X驱动电路、Y驱动电路)的电路元件,该驱动电路进行例如驱动频率高的驱动方式中的较高速的开关动作、进一步进行电流放大动作或电流控制动作、整流动作、电压保持动作等。作为周边晶体管的用途,只要是与该电光学装置的电光学工作相关,则无任何限定。
晶体管包括选择性地设置在基板上的预定区域的栅极绝缘膜。在此,“选择性地设于基板上的预定区域”是指仅设置在基板上的预定区域,换言之,仅设置在基板上的一部分区域。例如,通过喷墨法等涂覆法在基板上应形成的区域涂覆绝缘材料而形成栅极绝缘膜。这样选择地设置的栅极绝缘膜,与遍及基板整个面而层叠绝缘材料后进行图案形成来形成栅极绝缘膜的情况相比,在其形成过程中不产生浪费材料。因此,能够应对节省资源及低成本的要求。另外,由于不在基板整个面上形成栅极绝缘膜,因此能够抑制基板的应力。
晶体管可以是栅电极在基板上的层叠构造中配置于与半导体层相比的上层侧的顶栅型晶体管,也可以是栅电极在基板上的层叠构造中配置于与半导体层相比的下层侧的底栅型晶体管,还可以是栅电极配置于半导体层的上层侧和下层侧双方的双栅型晶体管。
本发明的“连接电极”形成在基板上的未形成栅极绝缘膜的区域内。连接电极是用于将周边晶体管与其他导电层(例如形成于基板上的用于实现电光学工作的各种布线、元件等)电连接的电极,例如由铝等导电材料形成。在形成连接电极的区域不形成栅极绝缘膜,成为连接电极的连接对象即各种布线、元件等的导电层露出的状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的