[发明专利]氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种氮氧化硅膜，包括硅、氮、氧及氟而成，所述氮氧化硅膜的特征在于：

氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si是：处于1.93～1.48的范围内，

且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。

2.一种半导体器件，其特征在于包括：

根据权利要求1所述的氮氧化硅膜。

3.一种薄膜晶体管，为使用氧化物半导体的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的特征在于：

在闸极绝缘膜、蚀刻终止层及保护膜的至少一者中，使用根据权利要求1所述的氮氧化硅膜。

4.一种氮氧化硅膜的形成方法，其特征在于：

使用四氟化硅气体(SiF₄)、氮气及含氧气体来作为原料气体，

利用通过感应耦合而生成等离子的感应耦合型等离子化学气相沉积法，在基板上形成根据权利要求1所述的氮氧化硅膜。

5.根据权利要求4所述的氮氧化硅膜的形成方法，其特征在于：

将膜形成时的所述基板的温度设定在100℃～300℃的范围内。