[发明专利]用于对晶片形物体进行液体处理的装置及工艺有效

专利信息
申请号: 201080054583.6 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102714153A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 迪特尔·弗兰克;迈克尔·普格 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 用于 晶片 物体 进行 液体 处理 装置 工艺
【权利要求书】:

1.一种用于处理衬底表面的装置,包括:

保持器,其适于将衬底定位在预定的方向;

所述保持器的第一上周向表面适于与位于所述保持器上方的衬底限定第一喷嘴;

所述保持器的第二上周向表面从所述第一上周向表面向外定位并且适于与位于所述保持器上方的衬底限定第二喷嘴;

其中,所述第一和第二上周向表面由形成在它们之间的凹槽分隔开;

气体供给,其被构造为提供横过所述第一和第二上周向表面指向外的气流;并且

所述保持器的面向内的周向表面自所述第一和第二上周向表面向外定位并且面对位于所述保持器上的衬底的周缘,所述面向内的周向表面被构造为向上引导离开所述第二喷嘴的气流。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置为用于单晶片湿法处理的器械,并且其中,所述保持器为旋转夹盘。

3.根据权利要求1所述的装置,进一步包括周向系列销,其适于接触位于所述保持器上的衬底的周缘,所述销自所述保持器向上延伸并且自所述第一上周向表面向外定位并且自所述面向内的周向表面至少部分向内。

4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述销具有扩大的头部,所述扩大的头部适于接合衬底的周缘,从而防止衬底的垂直向上位移。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述凹槽为围绕所述第一喷嘴并且在所述第一和第二喷嘴之间轴向向下延伸的第一大致柱形间隙。

6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第二喷嘴和所述面向内的周向表面由限定第三环形喷嘴的第二大致柱形间隙分隔开,所述第二大致柱形间隙比所述第一大致柱形间隙宽并且轴向向下延伸至比所述第一大致柱形间隙的深度浅的深度。

7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述保持器的所述第一和第二上周向表面为锥形并且形成了相应的锥体,所述锥体均具有自所述第一和第二上周向表面向下定位的顶点。

8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一上周向表面形成在所述保持器的上部,并且所述第二上周向表面和所述面向内的周向表面形成在刚性紧固到所述保持器的所述上部的环件上。

9.一种用于处理衬底表面的工艺,包括:

以预定距离将衬底约束在保持器的上方;

将气流引向所述衬底的面向下表面的周向区域,所述保持器包括与所述衬底限定第一喷嘴的第一上周向表面以及自所述第一上周向表面向外定位并且与所述衬底限定第二喷嘴的第二上周向表面,

所述第一和第二上周向表面由形成在它们之间的凹槽分隔开,并且面向内的周向表面自所述第一和第二上周向表面向外定位并且面对所述衬底的周缘;

其中,所述气流经过所述第一和第二喷嘴,然后由所述面向内的周向表面向上引导。

10.根据权利要求9所述的工艺,其中,通过接合所述衬底的周缘的一系列销将所述衬底约束在所述保持器上方所述预定距离处。

11.根据权利要求10所述的工艺,其中,以这样的流率供给所述气流:如果所述衬底不受所述一系列销约束,则所述流率将所述衬底提升到所述预定距离以上。

12.根据权利要求11所述的工艺,其中,所述流率为50-400L/min。

13.根据权利要求11所述的工艺,其中,所述流率为200-300L/min。

14.根据权利要求9所述的工艺,其中,所述保持器为用于单晶片湿法处理的器械中的旋转夹盘,并且其中,所述衬底为半导体晶片。

15.根据权利要求9所述的工艺,其中,所述第一上周向表面形成在所述保持器的上部,并且所述第二上周向表面和所述面向内的周向表面形成在刚性紧固至所述保持器的所述上部的环件上。

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