[发明专利]用于含碳膜的硅选择性干式蚀刻方法

权利要求书

1.一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻基板的表面上的含硅及碳层的方法，所述方法包括以下步骤：

将含氟前体与含氢前体流入第一远端等离子体区域，同时在所述第一远端等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物，其中所述第一远端等离子体区域流体连通式耦接至所述基板处理区域；

藉由将所述等离子体流出物与反应性氧流入所述基板处理区域来蚀刻所述含硅及碳层，同时在所述基板的所述表面上形成固体副产物；以及

藉由将所述基板的温度增加至所述固体副产物的升华温度之上来升华所述固体副产物。

2.一种在基板处理区域中蚀刻基板的表面上的含硅及碳层的方法，所述方法依序包括以下步骤：

将反应性氧流入所述基板处理区域，以减少所述含硅及碳层的接近表面的区域中的碳浓度；

通过将含氟前体与含氢前体流入第一远端等离子体区域，同时在所述第一远端等离子体区域中形成等离子体以产生流入所述基板处理区域的等离子体流出物，来蚀刻所述含硅及碳层，其中所述第一远端等离子体区域流体连通式耦接至所述基板处理区域；以及

在所述蚀刻步骤后，藉由将所述基板的温度上升至留在所述表面上的固体副产物的升华温度之上来升华所述固体副产物。

3.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述含氟前体包含选自由三氟化氮、氟化氢、双原子氟、单原子氟及氟取代的碳氢化合物所构成的群组中的至少一种前体。

4.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述含氢前体包含选由原子氢、分子氢、氨、碳氢化合物及卤素取代不完全的碳氢化合物所构成的群组中的至少一种前体。

5.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述基板的温度较所述蚀刻操作期间所述基板的温度增加至少20℃，以升华所述固体副产物。

6.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板在所述蚀刻操作期间的温度少于100℃或大约100℃。

7.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述反应性氧包含臭氧。

8.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述反应性氧包含原子氧(0)。

9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中从所述含硅及碳层被移除大约或少于的厚度。

10.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中重复所述步骤以从所述含硅及碳层移除额外的材料。

11.如权利要求10所述的方法，其中每一重复程序从所述含硅及碳层移除大约或少于的厚度。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述反应性氧不流经所述第一远端等离子体区域。

13.如权利要求2所述的方法，其中所述反应性氧包含臭氧，所述臭氧是通过将分子氧(O₂)流进第二远端等离子区域而生成的。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一远端等离子体区域是所述第二远端等离子体区域。

15.一种在基板处理系统内与基板处理区域相接的内部表面上蚀刻含硅及碳层的方法，所述方法包括以下步骤：

将含氟前体与含氢前体流入远端等离子体区域，同时在所述远端等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物，其中所述远端等离子体区域流体连通式耦接至所述基板处理区域；

藉由将所述等离子体流出物与反应性氧流入所述基板处理区域来蚀刻所述含硅及碳层，同时在所述内部表面上形成固体副产物；以及

藉由将所述内部表面的温度增加至所述固体副产物的升华温度之上来升华所述固体副产物。