[发明专利]涂覆物品及方法

权利要求书

1.一种物品，包括：

含铜的基底材料；

形成在所述基底材料上的涂层，所述涂层包括：

含Ni，并且含W及/或Mo的第一层，其中所述第一层的厚度大于5微英寸；及

形成在所述第一层上的第二层，所述第二层含有选自由Au、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、及/或Ag构成的组中的金属，其中所述第二层的厚度小于30微英寸。

2.如权利要求1所述的物品，其中所述涂层为纳米晶态。

3.如权利要求1所述的物品，其中所述第一层的厚度大于20微英寸。

4.如权利要求1所述的物品，其中所述第二层的厚度小于20微英寸。

5.如权利要求4所述的物品，其中所述第二层的厚度小于10微英寸。

6.如权利要求1所述的物品，其中所述第一层包括镍-钨合金。

7.如权利要求1所述的物品，其中所述第一层包括镍-钼合金。

8.如权利要求1所述的物品，其中，根据ASTM B0735暴露至硝酸蒸汽2小时之后，所述涂层的接触电阻小于约10mOhm。

9.如权利要求1所述的物品，其中，根据IIa类协议ASTM B0845暴露至混合流动气体5天之后，所述涂层的接触电阻小于约10mOhm。

10.如权利要求1所述的物品，其中，根据ASTM B0735暴露至硝酸蒸汽2小时之后，所述涂层的腐蚀密度小于约1个蚀斑/cm²。

11.如权利要求1所述的物品，其中所述第一层直接形成在所述基底材料上。

12.如权利要求1所述的物品，其中所述第一层与所述第二层是电沉积的。

13.一种方法，包括

使用具有正向脉冲和反向脉冲的波形将涂层的第一层电沉积在基底材料上，

其中所述基底材料含铜，所述第一层含Ni并且含W及/或Mo，并且所述第一层的厚度大于5微英寸；并且

在所述第一层上电沉积所述涂层的第二层，所述第二层含有选自由Au、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、及/或Ag构成的组中的金属，其中所述第二层的厚度小于30微英寸。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一层和所述第二层为纳米晶态。

15.如权利要求13所述的方法，其中使用具有正向脉冲和反向脉冲的波形电沉积所述第二层。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述第一层的厚度大于20微英寸。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述第二层的厚度小于20微英寸。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述第二层的厚度小于10微英寸。

19.如权利要求13所述的方法，其中所述第一层包括镍-钨合金。

20.如权利要求13所述的方法，其中所述第一层包括镍-钼合金。

21.如权利要求13所述的方法，其中，根据ASTM B0735暴露至硝酸蒸汽2小时之后，所述物品的接触电阻小于约10mOhm。

22.如权利要求13所述的方法，其中，根据IIa类协议ASTM B0845暴露至混合流动气体5天之后，所述物品的接触电阻小于约10mOhm。

23.如权利要求13所述的方法，其中，根据ASTM B0735暴露至硝酸蒸汽2小时之后，所述涂层的腐蚀密度小于约1个蚀斑/cm²。

24.如权利要求13所述的方法，其中所述第一层直接形成在所述基底材料上。