[发明专利]倾斜刻蚀应用中提高流体运送的装置和方法

说明书

背景技术

在半导体晶片制造中清洁操作正变得越发关键。由于制造操作的变化性以及对进一步降低特征尺寸的不断要求，从半导体衬底及时移除颗粒物质是至关重要的。与不断要求降低特征尺寸相对应的是具有能够提供灵活性的处理装置以便最大化地利用装置并将重新配置的停机时间最小化。具有可以重新配置以执行多处理操作的处理装置能够减少所需工具的数量，从而潜在地降低制造与维护成本。另外，因为特征尺寸不断降低，所以半导体衬底对污染会越来越敏感。

因此，需要提供一种耐用的、能够提供处理灵活性以在提高处理性能的同时将潜在污染源最小化的流体配送系统。

发明内容

在一个实施方式中，公开了一种供应用于处理半导体处理腔中的衬底的多个处理流体的装置。所述装置包括多个处理流体供应阀(process fluid supply valves)以及被限定在交叉阀(crossover valve)与调整供料阀(tuning supply valve)之间的流体供料网(fluid supply network)。所述装置进一步包括通过所述调整供料阀连接到所述流体供料网的调整流体供应源。所述装置进一步包括通过所述多个处理流体供应阀连接到所述流体供料网的多个处理流体。所述装置还包括具有衬底支架的处理腔。所述处理腔进一步包括边缘流体供料器和中部流体供料器。所述边缘流体供料器通过边缘使能阀(edge enable valve)连接到所述流体供料网，所述中部供料器通过中部使能阀(center enable valve)连接到所述流体供料网。所述交叉阀、边缘使能阀以及中部使能阀使调整流体或者处理流体中的一种流到所述边缘流体供料器或所述中部流体供料器中的一个。

在另一实施方式中，公开了一种将调整流体或处理流体灵活应用到衬底的方法。所述方法包括能使所述调整流体通过第一供料网流到中部供料器的操作。所述第一供料网被联接到包括关闭的交叉流动阀(crossflow valve)的交叉流动网(cross-flow network)。在另一操作中使处理流体流能通过第二供料网到达所述边缘供料器，其中将所述第二供料网联接到所述交叉流动网。在又一个操作中使所述调整流体与所述处理流体的流动停止。在另一操作中将所述第一供料网、所述第二供料网、所述交叉流动网、所述中部供料器以及所述边缘供料器通过净化网净化，所述净化网连接在所述交叉流动网与所述中部供料器和边缘供料器之间。在另一操作中使所述处理流体流能流动，其中打开的交叉阀使所述处理流体流到所述中部供料器。

通过下面的具体实施方式，结合附图，并通过示例对本发明原理进行说明，使本发明的其他方面和优点将变得显而易见。

附图说明

本发明及其中进一步的优点可以通过参考以下描述并结合附图更好地理解。

图1是根据本发明一个实施方式所示的半导体制造中使用的处理腔的流体供应系统的简化示范性示意图。

图2是根据本发明一个实施方式所示的处理腔的示范性剖视图。

图3是根据本发明一个实施方式所示的处理腔内边缘给料器剖视图特写的示范图。

图4是根据本发明的一个实施方式所示的处理腔内中部给料器剖面的示范图。

图5是根据本发明的一个实施方式所示的为确定调整流体流到衬底中部以及处理流体流到衬底边缘的路径的阀位置的示范图。

图6A为根据本发明的一个实施方式所示的净化输入供应网、交叉供应网和腔供料网的阀位置的示范图。

图6B根据本发明的一个实施方式说明了单个处理净化的实施方式。

图6C根据本发明的一个实施方式说明了净化供料器与调整线路的阀位置的实施方式。

图6D是根据本发明的一个实施方式所示的说明腔出口处理的阀位置的简化示意图。

图7A为根据本发明的一个实施方式所示的使处理流体流到衬底中部的阀位置的示范图。

图7B说明了使调整和处理流体输送到设于处理腔中衬底边缘区域边缘的阀位置。

图8是根据本发明的一个实施方式，示范性说明了修改调整流体和处理流体流动的流程图。

具体实施方式