[发明专利]半导体加工用片无效
申请号: | 201080034561.3 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN102473623A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 渡边敬介;森本政和;森淳基;夏目雅好 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B32B27/18;C08J5/18;C08K3/00;C08L101/00;C09J7/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工用 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体加工用片,更详细而言,涉及一种包含含有颜料的塑料片的半导体加工用片。
背景技术
一直以来,对于半导体装置的制造方法中所用的半导体装置制造用粘合片而言,为了在贴合于半导体晶片上时赋予辨识性,添加颜料(例如,专利文献1)。
但是,粘合片中所含的颜料有时移动或附着到粘合片的最外层,因此,存在污染制造设备、制造装置内部、例如薄膜制膜用模唇等的内面的担心。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-191296号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种半导体加工用粘合片,其在半导体装置制造用工艺中的半导体加工用粘合片用的薄膜的制膜工序中,可以将成为片厚度精度变差的原因的、由配混的颜料引起的模唇等的内面污染及由此引起的模唇等的开口部的部分堵塞等抑制在最小限度。
用于解决问题的方案
本发明的半导体加工用片的特征在于,具备基材层,该基材层包含含有颜料的塑料片作为芯层,在所述芯层的表里主面的最外层配置有不含有所述颜料的层。
对于这样的半导体加工用片而言,
优选配置于芯层的一个主面的最外层的不含颜料的层由粘合剂层形成。
优选至少一个主面的最外层由与芯层相同的塑料材料形成。
优选用作晶片背面磨削用保护片。
发明的效果
根据本发明,可以确保半导体装置制造用工艺中的半导体加工用片的辨识性,同时可以将起因于薄膜中所含的颜料的薄膜制膜用模具的内面污染抑制在最小限度。从而减少颜料污染引起的模唇开口部的部分堵塞,其结果,可以有效防止起因于颜料附着的片厚度精度的变差。
具体实施方式
本发明的半导体加工用片至少包含基材层。该基材层包含含有颜料的塑料片作为芯层,并在该芯层的表里主面的最外层配置有不含颜料的层。
在此,半导体加工用片是指半导体工艺中的各种加工所使用的片。通过将该半导体加工用片贴合在由硅、SiC、GaN、GaAs等形成的晶片等被加工物上,可以作为保护片(切割时、CMP时、蚀刻时等)或切割片用于表里面研磨用片等的各种工艺。优选的是,本发明的半导体加工用片不仅具备基材层,而且为了固定于晶片、制造装置等,具备1层或2层以上的粘合剂层。另外,为了赋予各种功能,除粘合剂层以外,也可以具备1层以上的各种层。
本发明的半导体加工用片特别是在用作晶片中的直接贴合在电路上使用的晶片背面磨削用保护片等、电路面等的保护片的情况下,可以有效地防止颜料污染。
基材层中的芯层赋予半导体加工用片自立性,例如可以利用由以下的物质制成的塑料片来形成,所述物质为:聚乙烯及聚丙烯等聚烯烃(具体而言为低密度聚乙烯、直链低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、拉伸聚丙烯、非拉伸聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等)、聚氨酯、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺、缩醛树脂、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、氟树脂、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物等含橡胶成分的聚合物等;用玻璃纤维或塑料制无纺纤维强化的树脂等。
在此,“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”两者。
芯层通常含有各种添加剂而成形。因此,在芯层中包含颜料。另外,颜料为不溶于水、油等的白色或有色的粉体,包含有机颜料及无机颜料两者。通常可用作印刷油墨、涂料及塑料、橡胶等的着色剂,还包含可用作增量剂、展色剂,或者具有用于调节体质(着色力、色相、电绝缘性等)的功能的物质。颜料的组成自身没有特别限定,通常含有金属元素。这样的金属元素采用化合物、络合物或离子等各种形式,特别是络合物容易引起颜料所造成的不期望的污染。作为颜料中所含的金属元素,例如可例示:铜、铁、钛、镁、锰、铝、钴、锌、银、金、镍、铬、锡、钯等。
芯层的厚度没有特别限定,可以适宜调整以具备可作为半导体加工用片的基材层起作用的程度的强度等。例如适宜为10~400μm左右,优选为30~250μm左右。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080034561.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含氟微乳的制备方法及应用
- 下一篇:具有向后及向前兼容性的双接口卡
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造