[发明专利]氧化物及磁光学设备有效
申请号: | 201080034297.3 | 申请日: | 2010-06-04 |
公开(公告)号: | CN102803582A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 牧川新二;渡边聪明;山中明生;成濑宽峰 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C04B35/50;G02B27/28;G02F1/09;C01F17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 光学 设备 | ||
1.一种氧化物,其特征在于,含有下述式(I)所示的氧化物作为主成分,
(TbxR1-x)2O3 (I)
式(I)中,x为0.4≤x≤1.0,R包含选自钪、钇、镧、铕、钆、镱、钬、以及镥中的至少一种元素,
波长1.06μm下的维尔德常数为0.18min/(Oe·cm)以上,并且波长1.06μm、光路长度3mm时的透过率70%以上。
2.根据权利要求1中所述的氧化物,其中,在所述式(I)中,R选自由钪、钇、镧、铕、钆、镱、钬、以及镥形成的组。
3.根据权利要求1或2中所述的氧化物,其中,含有0.00001重量%以上0.1重量%以下的选自由碱土金属的氧化物、第13族元素的氧化物、第14族元素的氧化物、以及第4族元素的氧化物形成的组的金属氧化物。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物,其为单晶。
5.根据权利要求4中所述的氧化物,其中,含有0.0001重量%以上0.1重量%以下的碱土金属的氧化物。
6.根据权利要求4或5中所述的氧化物,其为利用选自浮动区域熔炼法、微下拉法、提拉法、壳熔法、以及布里奇曼晶体生长法中的制造方法制作而成。
7.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物,其为陶瓷。
8.一种磁光学设备,其特征在于,使用权利要求1~7中任一项所述的氧化物构成。
9.根据权利要求8中所述的磁光学设备,其具备权利要求1~7中任一项所述的氧化物作为法拉第旋转器,并且具备配置于该法拉第旋转器的前后的偏光材料,所述磁光学设备是波长0.9μm以上1.1μm以下的光隔离器。
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