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- [发明专利]光隔离器-CN201410332275.5有效
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矢作晃;渡边聪明;牧川新二
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信越化学工业株式会社
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2014-07-11
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2017-03-22
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G02F1/09
- 本发明的目的在于提供一种600nm～800nm波长范围用的小型化光隔离器，其适合于作为在医疗、光测量中使用的半导体激光器中的光隔离器。本发明是600nm～800nm波长范围用的光隔离器，其特征在于，该光隔离器具备法拉第转子和配置在该法拉第转子外周的中空磁铁，所述法拉第转子由包含99％以上的下式(I)所示的氧化物的氧化物材料构成，并且，在633nm波长的费尔德常数为0.90min/(Oe·cm)以上，其中，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(1)的范围内，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(2)的范围内。(TbxR1‑x)2O3 (I) 在上式(I)中，x为0.5≦x≦1.0；R包含选自由钪、钇和除Tb以外的镧系元素组成的集合中的至少一种以上的元素。0.6≦L≦1.1 (1)B≦0.5×104 (2)。
- 隔离器
- [发明专利]光隔离器-CN201280060030.0无效
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矢作晃;渡边聪明;牧川新二
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信越化学工业株式会社
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2012-12-07
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2014-11-12
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G02B27/28
- 本发明提供一种小型光隔离器，适合作为用于医疗、光学计测用等用途的半导体激光中使用的光隔离器。一种光隔离器，是用于320nm～633nm波长带，其特征在于，包括：波长405nm中的费尔德常数为0.70分钟/(Oe·cm)以上的法拉第转子；以及第1中空磁铁与第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元，第1中空磁铁配置于法拉第转子的外周，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元是在光轴上夹着第1中空磁铁而配置，第2中空磁铁单元及第3中空磁铁单元包含相对于光轴而在90度方向上等分割的2个以上的磁铁，对法拉第转子施加的磁通密度B(Oe)处于下述式(1)的范围内，配置法拉第转子的样品长L(cm)处于下述式(2)的范围内。0.8×104≦B≦1.5×104 (1)，0.25≦L≦0.45 (2)。
- 隔离器
- [发明专利]氧化物及磁光学设备-CN201080034297.3有效
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牧川新二;渡边聪明;山中明生;成濑宽峰
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信越化学工业株式会社
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2010-06-04
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2012-11-28
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C30B29/16
- 本发明的目的在于提供一种含有氧化铽的氧化物，其在波长1.06μm区域(0.9～1.1μm)中的维尔德常数大，并且具有高透明性。本发明的进一步的目的在于，提供一种适用于加工机用光纤激光器中的小型化了的磁光学设备。本发明的氧化物含有下述式(I)所示的氧化物作为主成分，波长1.06μm下的维尔德常数为0.18min/(Oe·cm)以上，并且波长1.06μm、光路长度3mm时的透过率为70％以上。(TbxR1-x)2O3(I)(式(I)中，x为0.4≤x≤1.0，R包含选自钪、钇、镧、铕、钆、镱、钬、以及镥中的至少一种元素)。
- 氧化物光学设备
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