[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于例如在基材上形成硅等的沉积膜的沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。

背景技术

作为能够在基材上面高速沉积高品质膜的装置，申请人提出了融合了等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法和热催化CVD法各自的优点的气体分离式等离子体CVD装置(例如，参照下述的专利文献1)。

若采用该装置，则例如使H₂气体那样的分解概率低的原料气体，从气体供给路径通过，在该气体供给路径中配设了以加热催化体为代表的用于提高分解概率的机构，从而能够一边使H₂气体分解活化，一边导入至腔室内。

因此，在等离子体CVD法中，能够使H₂气体有利于微晶硅膜的形成，而不会增加导致膜品质降低的荷电粒子。

另外，由于将例如SiH₄气体那样的分解概率高的原料气体，经由未配设加热催化体的其他气体供给路径而导入至腔室内，因而能够抑制生成在热催化CVD法中导致膜品质降低的SiH₂、SiH及Si，同时使SiH₄气体有利于沉积膜的形成。

并且，作为这些技术的结果，所述气体分离式等离子体CVD装置能够高速形成高品质膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-173980号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发要解决的问题在于，由于气体分离式等离子体CVD装置根据气体分解概率来分离供给原料气体，因此，在形成沉积膜时，是否即使是小流量也能够均匀供给足够的原料气体从而沉积膜厚分布均匀的膜。

例如，在形成微晶硅膜时，SiH₄气体的流量比H₂气体的流量少，两者比率为1/10～1/200。因此，难以从多个气体供给部均匀供给SiH₄气体，由此，在沉积面积超过1m²的大型沉积膜形成装置中，沉积膜的面内的膜厚分布容易不均匀。

本发明是基于这样的背景而做出的，目的在于，提供一种能够形成具有均匀膜厚分布的沉积膜的沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。特别地，目的还在于，提供一种有效形成用于薄膜硅类太阳能电池的硅类薄膜的沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。

用于解决问题的手段

本发明的一个方式的沉积膜形成装置，具有：

腔室；

第一电极，其位于所述腔室内；

第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，

该第二电极具有：

第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；

多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；

第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；

第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，

该沉积膜形成装置的特征在于，

所述第二供给路径具有：

干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；

支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，

该支流部的多个所述气体流路分别与多个所述第二供给部相连接，

所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。

另外，本发明的一个方式的沉积膜形成方法，使用上述沉积膜形成装置，在配置于所述第一电极和所述第二电极之间的基材上形成沉积膜，该沉积膜形成方法的特征在于，

通过将所述第一原料气体及所述第二原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间，来使它们产生等离子体，由此在所述基材上形成沉积膜。

发明效果

若采用上述的沉积膜形成装置及沉积膜形成方法，则由于具有上述结构，因而能够将流量少的原料气体从各供给部均匀地供给至腔室内，从而能够在基材上形成具有均匀膜厚分布的沉积膜。

附图说明

图1是示意性示出本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式的剖视图。

图2是示意性示出了在本发明的沉积膜形成装置的一个实施方式中使用的第二电极的第二供给路径的结构的图，是沿图1的II-II线的剖视图。