[发明专利]沉积膜形成装置及沉积膜形成方法

权利要求书

1.一种沉积膜形成装置，具有：

腔室；

第一电极，其位于所述腔室内；

第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，

该第二电极具有：

第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；

多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；

第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；

第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，

该沉积膜形成装置的特征在于，

所述第二供给路径具有：

干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；

支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，

在该支流部的多个所述气体流路分别与多个所述第二供给部相连接，

所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。

2.根据权利要求1记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构是指如下结构：在所述支流部的一个气体流路中，与所述一个气体流路相连接的所述第二供给部的入口，不位于连接所述第一导入口和所述第二导入口的直线上。

3.根据权利要求1记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构是指如下结构：在所述干流部的长度方向上，所述第一导入口和所述第二导入口之间的距离，在干流部的剖面开口长度以上。

4.根据权利要求1记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构是指如下结构：在所述干流部内设有整流构件，所述整流构件用于改变从所述干流部向所述支流部流动的所述第二原料气体的气体流的流向。

5.根据权利要求1至4中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

排列配置多个所述支流部，且多个该支流部的两端分别与不同的所述干流部相连接。

6.根据权利要求1至5中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

在所述第一供给路径上设有加热催化体。

7.根据权利要求1至6中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

在所述第一供给部中，扩大所述第一供给部的出口的流路剖面面积，使得产生空心阴极放电。

8.根据权利要求1至7中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

随着远离所述第一导入口，所述支流部的所述气体流路的流路剖面面积变大。

9.根据权利要求1至8中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

所述支流部具有缓冲空间，该缓冲空间是用于缓冲所述第二原料气体的流速的缓冲部，该缓冲空间具有多个使所述第二原料气体通过的开口。

10.根据权利要求9记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

所述缓冲空间的所述开口的个数比所述第二供给部的个数少。

11.根据权利要求9或10记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

所述缓冲空间的所述开口的剖面面积比所述第二供给部的流路剖面面积小。

12.根据权利要求9至11中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

在俯视所述支流部时，与在所述支流部的两端侧相比，在中央侧设有更多的所述缓冲空间的所述开口。

13.根据权利要求1至12中的任一项记载的沉积膜形成装置，其特征在于，

在俯视所述支流部时，越靠近位于所述支流部的中央的气体流路，所述气体流路的开口剖面面积越大。

14.一种沉积膜形成方法，使用根据权利要求1至13中的任一项记载的沉积膜形成装置，在配置于所述第一电极和所述第二电极之间的基材上形成沉积膜，该沉积膜形成方法的特征在于，

将所述第一原料气体及所述第二原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间，且产生等离子体，由此在所述基材上面形成沉积膜。