[发明专利]背面入射型固体摄像元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种背面入射型固体摄像元件。

背景技术

已知BT(Back-illuminated Thinning)-CCD作为基板的光入射面侧 薄膜化的背面入射型固体摄像元件。根据非专利文献1，入射至BT-CCD 的被检测光，与入射后的被检测光在BT-CCD的检测侧的面反射的光 之间产生干涉(多重干涉(etalon)现象)，影响近红外频域的检测特性。为 了抑制该多重干涉现象，同一文献中，增大光感应区域的厚度，还在 光感应区域设置反射防止膜。

非专利文献

非专利文献1：“Etaloning in Back-Illuminated CCDs”，ROPER  SCIENTIFIC TECHINICAL NOTE、ROPER SCIENTIFIC发行，2000 年，No.7

发明内容

发明所要解决的问题

但是，以往的BT-CCD的解决手法，牺牲薄膜化产生的检测灵敏 度提高这一BT-CCD本来的优点，未在本质上提高图像质量。

本发明鉴于如此问题而完成，其目的在于提供一种抑制多重干涉 现象造成的图像劣化，可提高图像质量的背面入射型固体摄像元件。

解决问题的技术手段

为解决上述问题，本发明的背面入射型固体摄像元件，其具备： 在背面侧具有光入射面的半导体基板；及设置于半导体基板的与光入 射面为相反侧的光检测面的多个电荷传送电极，在电荷传送电极的邻 接的彼此之间，形成光透过用的多个开口部。

背面入射的光，虽在光检测面侧被检测，但本发明的固体摄像元 件中，使提供光检测的光的一部分，经由开口部向外部透过。由此， 由于在开口部没有电荷传送电极，故可抑制反射、并抑制入射光与反 射光的干涉。因此，可抑制多重干涉现象造成的图像劣化，提高图像 质量。

此外，上述开口部优选为沿电荷传送方向排列配置。如此，在邻 接的电荷传送电极之间形成的开口部进行排列的情况下，该结构虽然 简易，但也可抑制反射光。但，该构造的情况下，要求电荷传送电极 的制造时的匹配精度，匹配精度低的情况下，各列每个像素的开口部 的面积不同，存在每个像素的特性散乱等应进一步改良的余地。

因此，上述开口部优选为沿电荷传送方向交错状地配置。即，开 口部彼此错位配置。采用如此的交错状开口部配置的情形，若第奇数 行(第p+1行与第p+3行(p为0以上的整数))的电荷传送电极同时形成， 第偶数行(第p+2行与第p+4行)的电荷传送电极另行同时形成，则第偶 数行的电荷传送电极在制造时横方向错位而增加第p+1行与第p+2行 的电荷传送电极之间的开口部面积的情况下，第p+3行与第p+4行的 电荷传送电极之间的开口部面积减少。即，该构造匹配精度的容许量 (tolerance)高，每个像素的透过光量相等，特性均一化。

另外，关于电荷传送电极的形状及配置，第p+1行的电荷传送电 极具有第1形状，第p+2行的电荷传送电极具有第2形状，第p+3行 的电荷传送电极具有第3形状，第p+4行的电荷传送电极具有第4形 状，第1至第4形状彼此完全不同，第p+1行与第p+2行的电荷传送 电极之间形成第1图形的开口部，第p+3行与第p+4行的电荷传送电 极之间形成第2图形的开口部，第1及第2图形优选为彼此不同。

如此的构造的情形，因电荷传送电极的形状或开口部的图形不同， 故开口部的随机性高，例如，即使第p+2行与第p+4行的电荷传送电 极在横方向错位的情形，也可抑制开口部面积的变动。

另外，本发明的背面入射型固体摄像元件，其具备：在背面侧具 有光入射面的半导体基板，及设置于半导体基板的与光入射面为相反 侧的光检测面的多个电荷传送电极；在各电荷传送电极内形成光透过 用的多个开口部。

即使在该构造的情形，使提供光检测的光的一部分，经由开口部 向外部透过。由此，因为在开口部无电荷传送电极，故可抑制反射， 抑制入射光与反射光的干涉。因此，可抑制多重干涉现象造成的图像 劣化，提高图像质量。

发明的效果

根据本发明的背面入射型固体摄像元件，可取得高质量图像。

附图说明

图1是实施方式的背面入射型固体摄像元件100的立体图。

图2是从与光入射方向相反侧看背面入射型固体摄像元件100的 底面图。