[实用新型]一种GaN基材料的发光二极管有效
| 申请号： | 201020624238.9 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN201927631U | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王立彬 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基材 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基材料的发光二极管，它包括蓝宝石衬底(1)以及依次置于蓝宝石衬底(1)上方的N-GaN层(2)、有源层(3)、P-GaN层(4)和ITO薄膜(10)，ITO薄膜(10)和N-GaN层(2)上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层(14)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)的上表面边沿露出一圈衬底平面(7)。
2.根据权利要求1所述的GaN基材料的发光二极管，其特征在于，所述衬底平面(7)为图形化衬底或者平衬底。
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