[实用新型]具绝缘层的通孔结构有效
申请号: | 201020301621.0 | 申请日: | 2010-01-27 |
公开(公告)号: | CN201655788U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 璩泽明 | 申请(专利权)人: | 茂邦电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/12 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为 |
地址: | 中国台湾桃园县芦*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 结构 | ||
技术领域:
本实用新型涉及一种具绝缘层的通孔结构,尤指一种可使本实用新型运用于半导体制程,而达到易于制作以及提高组件可靠度功效的结构。
背景技术:
一般已知的半导体制程中,通常需于相关载板上设置数个通孔,并于通孔内填入导电材料,藉以使载板的两表面进行导通,而一般已知的作法是以工具在载板上钻设有数个通孔,之后再于各通孔的内壁面上以印刷、涂布、喷墨、化学汽相沉积(DVD)、物理汽相沉积(PVD)、溅镀、电镀或非电镀方式形成有绝缘层,藉以可利用绝缘层防止载板产生短路,之后再于通孔中内填入导电材料,进而达到导通载板两表面的功效。
但是,由于已知的制程必须于载板钻孔后设置绝缘层,最后再填入导电材料,如此,不但制造过程较为复杂,且制成后的良率较低,而导致组件信赖度较差;因此,以已知的制程而言,较无法符合实际运用时所需。
实用新型内容:
本实用新型所要解决的技术问题是:针对上述现有技术的不足,提供一种具绝缘层的通孔结构,可使其运用于半导体制程,而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种具绝缘层的通孔结构,包括有载板、及导电介质,其特点是:还包括高温穿孔单元,该载板与该高温穿孔单元对应,而该载板以高温穿孔单元产生数个通孔,并于通孔内缘形成绝缘层;所述导电介质分别设于各通孔中。
如此,可使其运用于半导体制程,而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效。
附图说明:
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的载板的剖面状态示意图。
标号说明:
高温穿孔单元1 载板2
通孔21 绝缘层22
导电介质3
具体实施方式:
请参阅图1、及图2所示,分别为本实用新型的结构示意图、及本实用新型的载板的剖面状态示意图。如图所示:本实用新型为一种具绝缘层的通孔结构,其至少由一高温穿孔单元1、一载板2以及导电介质3所构成。
上述所提的高温穿孔单元1可为激光或为高温热束。
该载板2可为硅(Si)、硅掺杂例如硅掺杂硼(Boron)、磷(Phosphorus)、砷(Arsenic)、或锑(Antimony)等元素而形成的N型材质或P型材质,且该载板2与高温穿孔单元1对应,并以高温穿孔单元1于载板2上产生数个通孔21,且各通孔21产生时于其内缘分别形成绝缘层22。
各导电介质3分别设于各通孔21中,而各导电介质3可为银胶。如是,藉由上述结构构成一全新的具绝缘层的通孔结构。
其运用时,可使用于半导体制程中,如:内存制程或是CMOS制程,而动作时是将载板2的一面与高温穿孔单元1对应,并以该高温穿孔单元1于氧环境中对载板2进行钻孔作业,使载板2上产生数个通孔21,而当高温穿孔单元1于载板2上产生各通孔21时,同时以高温穿孔单元1的高温于其内缘分别自然形成为二氧化硅的绝缘层22,之后再于各通孔21内填入导电介质3,藉以将载板2的两面进行导通,以利后续制程的进行,进而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效。
综上所述,本实用新型的具绝缘层的通孔结构可有效改善现有技术的种种缺点,可使其运用于半导体制程,而达到易于制作以及提高组件可靠度的功效,进而能产生更进步、更实用、更符合消费者使用时所需,确已符合实用新型专利申请的要件,依法提出专利申请。
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