[发明专利]非易失性半导体存储装置的编程方法有效
| 申请号： | 201010624510.8 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102136293A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨升震;金龙泰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 编程 方法 | ||
1.一种非易失性半导体存储装置的编程方法，该非易失性半导体存储装置具有设置在袋式阱中的NAND型存储器单元阵列，所述方法包括如下步骤：
将负偏置电压施加到袋式阱；
将第一电压施加到形成在袋式阱中的存储器块中的串的串选择晶体管的栅极，
其中，第一电压高于连接到被选择的位线的每个串的串选择晶体管的阈值电压，并低于连接到未被选择的位线的串的每个串选择晶体管的阈值电压。
2.如权利要求1所述的方法，其中，将负电压施加到被选择的位线，将编程禁止电压施加到未被选择的位线。
3.如权利要求2所述的方法，其中，编程禁止电压高于施加到袋式阱的负偏置电压，并高于第一电压。
4.如权利要求2所述的方法，其中，编程禁止电压高于0V。
5.如权利要求2所述的方法，其中，将电压电平与施加到袋式阱的负偏置电压的电压电平相同的电压施加到被选择的位线。
6.一种非易失性半导体存储装置的编程方法，所述方法包括如下步骤：
将负电压作为偏置电压施加到袋式阱，在袋式阱中形成有共用相同的位线的第一存储器块和第二存储器块；
在编程模式中，将第一电压施加到第一存储器块内的串选择晶体管的栅极，其中，第一电压高于第一存储器块中的连接到被选择的位线的每个串选择晶体管的阈值电压，第一电压低于第一存储器块中的连接到未被选择的位线的每个串选择晶体管的阈值电压。
7.如权利要求6所述的方法，所述方法还包括如下步骤：
在编程模式中，将电压电平与袋式阱的偏置电压的电压电平相同的负电压施加到第二存储器块中的串选择晶体管的栅极。
8.如权利要求6所述的方法，其中，第二存储器块的每条位线接触与第一存储器块的串选择晶体管分开的第二存储器块的串选择晶体管。
9.如权利要求6所述的方法，其中，将第一电压施加到第一存储器块中的串选择晶体管的栅极，将电压电平与施加到袋式阱的负偏置电压的电压电平相同的第二电压施加到第二存储器块中的串选择晶体管的栅极。
10.如权利要求9所述的方法，其中，第一存储器块中的串选择晶体管的栅极连接到第一串选择线，第二存储器块中的串选择晶体管的栅极连接到第二串选择线，第二串选择线与第一串选择线电性断开。
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