[发明专利]高效太阳能电池的制造工艺

权利要求书

1.一种高效太阳能电池的制造工艺，其特征在于具有以下步骤：

1)在硅片表面制绒，并进行扩散；

2)去除表面的磷硅玻璃PSG，进行刻边；

3)硅片表面钝化减反膜；

4)在硅片表面进行掩膜，形成掩膜层后采用丝网印刷技术在掩膜层上刻蚀正电极图形；

5)丝网印刷背电极和背电场，然后背面烧结；

6)采用电镀的方法制备正面电极，所用的电镀金属为Ni-Ag或Ni-Cu-Ag。

2.如权利要求1所述的高效太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述的步骤1)中的扩散工艺的方阻范围为40～120ohm/sq。

3.如权利要求1所述的高效太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述的步骤4)中表面掩膜采用二氧化硅，厚度为35～55nm。

4.如权利要求1所述的高效太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述的步骤4)中表面掩膜采用氮化硅，厚度35～55nm。

5.如权利要求1所述的高效太阳能电池的制造工艺，其特征在于：所述的硅片的电阻率为0.2～30Ωcm。