[发明专利]具有狭缝阀隧道支撑件的处理室有效
申请号: | 201010617693.0 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102117735B | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | S·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 狭缝 隧道 支撑 处理 | ||
技术领域
本发明的实施例通常涉及电子器件制造。更具体地说,本发明的实施例涉 及用于防止在大面积基板处理室中在狭缝阀隧道附近变形的方法和装置。
背景技术
基板处理室一般通过宽且相对较短的可密封开口与基板传递室连通,以方 便水平定向基板的插入和移除。众所周知,使用腔室隔离阀(也称为狭缝阀) 来密封这样的开口。例如,可使狭缝阀的密封板(也称为密封门)延伸以密封 开口,并且缩回以允许基板穿过所述开口。
狭缝阀经设计以在处理期间密封处理室,并且允许处理室维持例如真空环 境的处理条件。然而,在处理室内部和外部之间的压差可能导致由狭缝阀密封 的开口变形。对于处理需要非常宽开口的非常大的基板(即,尺寸大于约1,000 mmx1,000mm)的处理室尤其如此。
因此,存在对于防备腔室之间的大压差的改进狭缝阀的需要。
发明内容
本发明的实施例提供了用于在大面积基板处理室中防止狭缝阀隧道附近 变形的方法和装置。
本发明的一个实施例提供:处理室,所述处理室包括室体,所述室体具有 经设置以允许基板通过的开口;狭缝阀,所述狭缝阀布置在所述室体外部以有 选择地密封所述开口;以及支撑组件,所述支撑组件刚性地连接在所述室体与 所述狭缝阀的外壳之间以防止开口变形。
附图说明
因此,可以详细理解本发明的上述特征的方式,可以参考实施例获得上文 简要概述的本发明的更具体描述,其中一些实施例图示于附图中。然而,应注 意,附图仅图示本发明的典型实施例,且因此不应将附图视为对本发明范围的 限制,因为本发明可以允许其它同等有效的实施例。
图1是可以经调适以受益于本发明的示例性基板处理系统的示意平面图。
图2是根据本发明的一个实施例的附接至狭缝阀的处理室的示意截面前视 图。
图3是图2的处理室与狭缝阀的示意截面侧视图。
图3A-3B是图3的处理室的板支撑件的局部视图。
图4是根据本发明的另一实施例的处理室与狭缝阀的示意截面侧视图。
图5是根据本发明的另一实施例的处理室与狭缝阀的示意截面侧视图。
为清楚起见,在适用的情况下已使用相同参考符号以指定在各图之间所共 有的相同元件。
具体实施方式
本发明揭示了用于防止狭缝阀隧道变形的方法和装置。本发明的实施例包 含狭缝阀隧道支撑组件130,所述狭缝阀隧道支撑组件130增加了室体的刚性, 尤其在长狭缝阀隧道附近增加了室体的刚性以防止室体变形。在一个实施例 中,狭缝阀隧道支撑组件包含连接至室体的板支撑件,所述室体连接至管支撑 件,所述管支撑件连接至布置在腔室外部的狭缝阀壳。室体形成具有狭缝阀壳、 管支撑件和板支撑件的刚性结构,因此获得了预防由在室体内部和外部之间的 压差导致的变形的增加的刚性。处理的精确性和处理的均匀性可随着变形的减 少而改进。
图1是可以经调适以受益于本发明的示例性基板处理系统10的示意平面 图。基板处理系统10可以包括装载锁20、传递室30、传递机器人31和多个 基板处理室40和50。装载锁20允许将一个或多个基板引入基板处理系统10 的真空环境中,而无需将整个系统加压到大气压。在处理室40和处理室50中 处理基板。基板处理室40和基板处理室50可以对基板执行诸如(例如)化学 气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的处理。在一个实施例中,处理系统10经设置以处理大面积基板,诸如用于 平板显示器的基板。
一般地,基板处理室40和基板处理室50可以彼此隔离以使不相容处理气 体的渗透降至最低,并且因为不同处理可能要求显著不同的真空度。在传递室 30内部的传递机器人31根据需要在基板处理室40、基板处理室50和装载锁 20之间传递基板。一般地,基板处理系统10的各腔室可以借助于一个或多个 狭缝阀101与所有其他腔室隔离。如图1所示,狭缝阀101经布置在传递室30 中并且在处理室40、处理室50的外部。
处理室40、处理室50中的至少一个与隧道支撑组件130接合。如下文进 一步描述,隧道支撑组件130增加处理室40、处理室50的室体的刚性,尤其 在长狭缝阀隧道附近增加了室体的刚性以防止室体变形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造