[发明专利]具有狭缝阀隧道支撑件的处理室有效
申请号: | 201010617693.0 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102117735B | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | S·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 狭缝 隧道 支撑 处理 | ||
1.一种具有狭缝阀隧道支撑件的处理室,所述处理室包含:
室体,所述室体具有经设置以允许基板通过的隧道;
狭缝阀,所述狭缝阀布置在所述室体的外部以有选择地密封所述隧道;和
支撑组件,所述支撑组件刚性地连接在所述室体与所述狭缝阀的外壳之间 以防止所述隧道变形,其中所述支撑组件进一步包括:
管支撑件,所述管支撑件连接至所述狭缝阀的外壳;和
板支撑件,所述板支撑件连接至所述管支撑件和所述室体。
2.一种具有狭缝阀隧道支撑件的处理室,所述处理室包含:
室体,所述室体具有经设置以允许基板通过的隧道;
狭缝阀,所述狭缝阀布置在所述室体的外部以有选择地密封所述隧道;和
支撑组件,所述支撑组件刚性地连接在所述室体与所述狭缝阀的外壳之间 以防止所述隧道变形,其中所述支撑组件包含:
板支撑件,所述板支撑件布置在所述狭缝阀的外壳之上并且至少沿着穿 过所述室体形成的所述隧道的长度延伸。
3.一种具有狭缝阀隧道支撑件的处理室,所述处理室包含:
室体,所述室体具有经设置以允许基板通过的隧道;
狭缝阀,所述狭缝阀布置在所述室体的外部以有选择地密封所述隧道;和
支撑组件,所述支撑组件刚性地连接在所述室体与所述狭缝阀的外壳之间 以防止所述隧道变形,其中所述支撑组件包含:
空心管支撑件,所述空心管支撑件连接至在穿过室体形成的所述隧道之 上的所述处理室。
4.根据权利要求1或2所述的处理室,其中所述板支撑件连接至所述室体 的盖。
5.根据权利要求1或2所述的处理室,其中所述板支撑件连接至气体分配 组件的垫板。
6.根据权利要求1所述的处理室,其中所述板支撑件和所述管支撑件由钢 形成。
7.根据权利要求1、2或3所述的处理室,进一步包含:
盖,所述盖封闭所述室体;和
盖加劲板和/或盖加劲管,所述盖加劲板和/或盖加劲管连接至所述盖的顶 面。
8.根据权利要求1、2或3所述的处理室,进一步包含:
盖,所述盖封闭所述室体;和
射频导电盖加劲板,所述射频导电盖加劲板连接至盖的顶面。
9.根据权利要求8所述的处理室,进一步包含:
加劲管,所述加劲管在所述盖的一侧上连接至所述加劲板。
10.根据权利要求8所述的处理室,进一步包含:
覆盖板,所述覆盖板布置在所述盖加劲板之上,所述覆盖板将所述盖加劲 板和射频电源电连接作为接地返回路径的一部分。
11.根据权利要求10所述的处理室,进一步包含:
导体,所述导体在所述盖与覆盖板之间提供射频连接。
12.根据权利要求10所述的处理室,进一步包含:
导体,所述导体连接在所述盖与覆盖板之间。
13.根据权利要求12所述的处理室,其中所述导体进一步包含:
铝板。
14.根据权利要求12所述的处理室,其中所述导体进一步包含:
第一突出部,所述第一突出部连接至所述盖;和
第二突出部,所述第二突出部平行于所述第一突出部布置并且自所述第一 突出部偏移,所述第二突出部连接至所述覆盖板。
15.根据权利要求12所述的处理室,其中所述导体进一步包含Z形侧断 面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造