[发明专利]防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

静电击穿是电子行业中非常常见的一种破坏模式，它是由大量静电集中到器件的某一部位静电放电产生的现象。静电击穿会对TFT-LCD器件产生非常严重的损害，在TFT-LCD器件的制造过程中需要尽量避免其发生。目前在TFT-LCD行业内经常采用的防止静电击穿的方法为：制备静电环。静电环是利用了静电趋向于分布在导体的外边缘的特性，在单个液晶屏阵列基板的外围设置一圈环路，通过源极或漏极与栅极相连的TFT结构，将栅线、公共电极线、数据线全部连接到静电环上。这样，当栅线、公共电极线、数据线中任意引线上的静电过多时，均能通过自行打开此条引线上与静电环相连接的TFT器件，将静电引导至静电环上，起到保护液晶屏的作用。

但是，静电环上连通栅线、公共电极线、数据线的TFT结构必须要等到整个阵列基板制备完成后才能够发挥其功效，因此在阵列基板的制造过程中产生的静电，静电环是没有能力起到防止静电击穿的作用的。然而，整个阵列基板的制造过程中，化学气相沉积与干刻工艺是静电高发的工序，很容易产生静电击穿的问题，影响产品的良品率。

发明内容

本发明提供一种防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板，以实现阵列基板的制造过程中静电击穿的有效预防。

本发明提供一种防止静电击穿的方法，其中，包括：

在形成基板的导电图案时，将形成所述导电图案的金属线与位于基板外围区域的封闭导电环相连；

当所述金属线上产生静电时，将所述静电引导至所述封闭导电环。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，其中，形成所述导电图案的步骤至少包括：

在所述衬底基板的外围区域形成与栅线同层的第一封闭导电环，并将所述栅线与所述第一封闭导电环相连；

和/或，

在所述衬底基板的外围区域形成与数据线同层的第二封闭导电环，并将所述数据线与所述第二封闭导电环相连。

本发明又提供一种显示背板，包括：衬底基板；

所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，所述导电图案包括栅线和数据线；

所述衬底基板的外围区域还形成有第一封闭导电环和/或第二封闭导电环，所述第一封闭导电环与所述栅线同层设置，所述第二封闭导电环与所述数据线同层设置；

所述栅线与所述第一封闭导电环电性相连，所述数据线与所述第二封闭导电环电性相连。

本发明提供的防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板，通过在形成基板的导电图案时，将形成导电图案的金属线与位于基板外围区域的封闭导电环相连，以使得阵列基板的制造过程中，如果金属线上产生静电，就可以直接引导至封闭导电环上，解决了阵列基板制造过程中的静电击穿高发的问题，实现了阵列基板的安全制造生产。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的防止静电击穿方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的基板的导电图案的分布示意图；

图3为本发明实施例提供的栅线、公共电极线以及第一封闭导电环制备完成后的结构俯视图；

图4为图3基础上数据线以及第二封闭导电环制备完成后的结构俯视图；

图5a至图5d为断开栅线与第一封闭导电环之间连接工艺时基板的侧视剖切结构示意图；

图6a至图6d为断开数据线与第二封闭导电环之间连接工艺时基板的侧视剖切结构示意图；

图7为本发明实施例四提供的液晶显示面板的制造方法流程图。

附图标记：

1-衬底基板；     2-栅线；    4-栅绝缘层；

5-数据线；       6-有源层；  12-公共电极线；

13-透明导电层；  14-光刻胶； 50-第一封闭导电环；

60-第二封闭导电环。

具体实施方式