[发明专利]忆阻器及其制作方法

权利要求书

1.一种忆阻器，其特征在于，包括：

上导电电极、下导电电极、以及位于所述上导电电极和所述下导电电极之间的作为存储介质层的功能薄膜。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：

所述上导电电极的材料是Cu或Ag。

3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：

所述上导电电极的厚度为5nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：

所述下导电电极的材料是由W、Al、Cu、Au、Ag、Pt、Ru、Ti、Ta、TiN、TaN、ITO和IZO材料中的至少一种构成。

5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：

所述下导电电极的厚度为5nm～500nm。

6.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：

所述功能薄膜由ZrO₂、HfO₂、TiO₂、SiO₂、WO_x、CuO_x、TaO_x和Si_xN_y材料中的至少一种组成。

7.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：

所述功能薄膜的厚度为1nm～500nm。

8.一种忆阻器的制作方法，其特征在于，包括：

在绝缘衬底上形成下导电电极；

在下导电电极上淀积作为存储介质层的功能薄膜；

在功能薄膜上形成上导电电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

所述在绝缘衬底上形成下导电电极是采用电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或磁控溅射方法在绝缘衬底上淀积下导电电极金属。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述在下导电电极上淀积作为存储介质层的功能薄膜是采用电子束蒸发、脉冲激光沉积、磁控溅射或溶胶——凝胶法在所述下导电电极上淀积功能薄膜。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

所述在功能薄膜上形成上导电电极是采用电子束蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、原子层沉积或磁控溅射方法在功能薄膜上形成上导电电极金属。

12.根据权利要求8-11任一项所述的方法，其特征在于：

所述上导电电极的厚度为5nm～500nm；所述下导电电极的厚度为5nm～500nm；所述功能薄膜的厚度为1nm～500nm。