[发明专利]P型高浓度掺杂硅及BCD产品P沟道MOS管制作工艺

权利要求书

1.一种P型高浓度掺杂硅的工艺实现方法，其特征在于，包括：

低压淀积氧化硅介质层；

对衬底进行光刻，定义注入区域；

在定义的注入区域内，注入硼离子；

对注入的硼离子进行高温退火。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低压淀积氧化硅介质层的厚度为20～60纳米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼离子的注入剂量为1×10¹⁵～3×10¹⁵原子/平方厘米。

4.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，当所述硼离子注入到硅表层20～60纳米深时，注入能量为25～35千电子伏。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火在800～1000摄氏度下进行。

6.一种BCD产品中的P沟道MOS管的制作工艺，其特征在于，包括：

对衬底进行光刻，定义注入区域，注入磷离子并扩散制作N型低浓度掺杂区；

低压淀积氮化硅介质层；

对衬底进行光刻，定义刻蚀区域，采用等离子体刻蚀氮化硅；

生长二氧化硅场区氧化层，剥离氮化硅；

高温氧化生成栅氧化层；

低压淀积多晶硅层；

对衬底进行光刻，定义刻蚀区域，采用等离子体刻蚀多晶硅层；

对衬底进行光刻，定义注入区域，注入磷离子或砷离子并进行高温退火制作N型高浓度掺杂区；

低压淀积氧化硅介质层；

对衬底进行光刻，定义注入区域，在定义的注入区域内，注入硼离子，对注入的硼离子进行高温退火制作P型高浓度掺杂区。

7.如权利要求6所述的BCD产品中的P沟道MOS管制作工艺，其特征在于，当制作特征尺寸小于或等于1.0微米的BCD产品时，在刻蚀多晶硅层后，制作N型高浓度掺杂区之前，所述制作工艺还包括：

低压淀积氧化硅介质层，采用等离子体进行回刻制作侧墙。

8.如权利要求6所述的BCD产品中的P沟道MOS管制作工艺，其特征在于，在制作所述N型高浓度掺杂区之后，所述低压淀积氧化硅介质层的厚度为20～60纳米。

9.如权利要求6所述的BCD产品中的P沟道MOS管制作工艺，其特征在于，在制作所述P型高浓度掺杂区时，所述硼离子的注入剂量为1×10¹⁵～3×10¹⁵原子/平方厘米。

10.如权利要求6所述的BCD产品中的P沟道MOS管制作工艺，其特征在于，在制作所述P型高浓度掺杂区时，当所述硼离子注入到硅表层20～60纳米深时，注入能量为25～35千电子伏。

11.如权利要求6所述的BCD产品中的P沟道MOS管制作工艺，其特征在于，在制作所述P型高浓度掺杂区时，高温退火在800～1000摄氏度的温度下进行。