[发明专利]一种OLED器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明属于显示领域，特别涉及一种OLED器件及其制作方法。

背景技术

现有的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件的发光效率较低。请参考图1，现有的OLED器件包括具有ITO走线的衬底10、发光层20、出光层30及出光层30外部的封装层50。为了提高OLED器件的发光效率，通常采用光刻技术对衬底10进行粗化，从而使得衬底走线发出的光全部射向发光层20，并依次穿过出光层30及封装层50，从而发光。然而，在出光层30与封装层50之间的界面上会发生全发射。由于出光层30的光折射率比封装层50大得多，因此出光层30与封装层50之间的光折射率差也很大。光折射率差越大，全发射角就越小，导致从发光层20射出的光线越少，出光效率也越低。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种OLED器件，旨在解决现有的OLED器件的出光层与封装层之间的光折射率差较大，出光效率较低的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种OLED器件，包括：

发光层；

封装层，以及

位于所述发光层与封装层之间的光线过渡层；

所述光线过渡层的密度在沿所述发光层至所述封装层的方向上递减。

本发明实施例还提供一种OLED器件的制作方法，包括下述步骤：

制作发光层；

在所述发光层上制作一光线过渡层；

在所述光线过渡层上制作封装层；

所述光线过渡层的密度在沿所述发光层至所述封装层的方向上递减。

本发明实施例在OLED器件的发光层与封装层之间增加一光线过渡层，使得发光层与光线过渡层之间、光线过渡层与封装层之间的光折射率差较小，全反射角较大，进而提高了OLED器件的出光效率。

附图说明

图1是现有的OLED器件的结构示意图。

图2是本发明实施例提供的OLED器件的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例通过在OLED器件的发光层与封装层之间增加一光线过渡层，使得发光层与光线过渡层之间、光线过渡层与封装层之间的光折射率差较小，全反射角较大，提高了OLED器件的出光效率。

本发明实施例是这样实现的：

一种OLED器件，包括：

发光层；

封装层，以及

位于所述发光层与封装层之间的光线过渡层；

所述光线过渡层的密度在沿所述发光层至所述封装层的方向上递减。

本发明实施例中由于光线过渡层的密度在沿发光层至封装层的方向上递减，使得发光层与光线过渡层之间、光线过渡层与封装层之间的光折射率差较小，全反射角较大，提高了OLED器件的出光效率。

以下结合具体实施例，对本发明的实现进行详细说明：

请参考图2，本发明实施例提供的OLED器件包括衬底10、发光层20、光线过渡层40及封装层50。

发光层20位于衬底10上，光线过渡层40位于发光层20上，封装层50位于光线过渡层40上。

光线过渡层40的密度在沿发光层20至封装层50的方向上递减。光线过渡层40的密度越大，其光折射率越大，因此光线过渡层40的光折射率也沿发光层20至封装层50的方向上递减。如此，发光层20与光线过渡层40之间、光线过渡层40与封装层50之间的光折射率差较小，发光层20与光线过渡层40之间、光线过渡层40与封装层50之间的全反射角较大，从而使得OLED器件的出光效率较高。

本发明实施例通过在OLED的发光层20与封装层50之间增加一光线过渡层40，光线过渡层40的密度在沿发光层20至封装层50的方向上递减，使得发光层20与光线过渡层40之间、光线过渡层40与封装层50之间的光折射率差较小，全反射角较大，从而提高了OLED器件的出光效率。

作为本发明的优选实施例，衬底10上设有ITO走线(图未示)，用于发出不同形状的光。

作为本发明的优选实施例，光线过渡层40包括多层具有不同密度的金属氧化物，从而使得光线过渡层40的密度沿发光层20至封装层50的方向上递减。

作为本发明的优选实施例，金属氧化物为氧化锌。