[发明专利]具有静电损伤保护功能的发光二极管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件，其特征在于：包括

发光二极管芯片，其包括一发光区和一静电防护区，其中，该发光区包括一发光二极管，该静电防护区包括至少两个静电防护二极管，该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离；

倒装基板，其包括一表面绝缘的基底，及覆盖在基底表面上的金属线层；

该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上，通过该倒装基板上的金属线层，该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。

2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光区所占面积大于该发光二极管芯片总面积的50％。

3.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光二极管芯片上具有三个静电防护二极管。

4.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该倒装基板的基底为陶瓷基板、表面覆盖有绝缘层的硅基板或表面覆盖有绝缘层的金属基板。

5.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光二极管和静电防护二极管包括n型半导体层、活性层和p型半导体层；其中该n型半导体层覆盖在该发光二极管芯片的衬底表面，该活性层覆盖在n型半导体层的部分表面，并使部分n型半导体层外露，该p型半导体层覆盖在该活性层表面。

6.根据权利要求5所述的发光二极管器件，其特征在于：该发光二极管和静电防护二极管进一步包括钝化层和电极层，该钝化层覆盖在部分外露的n型半导体层和p型半导体层的表面，使得n型半导体层和p型半导体层之间相互绝缘；该电极层覆盖在钝化层之间外露的n型半导体层和p型半导体层表面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于：该倒装基板包括设置在金属线层上的凸点焊球，该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上使电极层与凸点焊球连接。

8.一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件的制造方法，其特征在于：包括步骤步骤S1：在衬底表面依序沉积n型半导体层、活性层和p型半导体层；

步骤S2：在衬底表面形成隔离槽，该依序沉积的n型半导体层、活性层和p型半导体层通过该隔离槽分为若干个独立单元；

步骤S3：蚀刻每个独立单元上的部分区域的p型半导体层和活性层，使得该部分区域的n型半导体层外露；

步骤S4：在外露的n型半导体层和p型半导体层的表面的形成电极层；

步骤S5：在基底上依序形成一金属线层和凸点焊球，从而形成倒装基板；

步骤S6：将发光二极管芯片倒装在倒装基板上，使发光二极管芯片的电极层与倒装基板上的凸点焊球连接。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：在步骤S3之后还包括步骤S31：形成钝化层，该钝化层覆盖在部分外露的n型半导体层和p型半导体层的表面，使得各n型半导体层和p型半导体层之间相互绝缘；步骤S4为在钝化层之间外露n型半导体层和p型半导体层的表面的形成电极层。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：步骤S5还包括：在基底上形成绝缘层，然后在绝缘层表面依序形成金属线层和凸点焊球，从而形成倒装基板。

11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：步骤S2具体为在衬底上方提供一采用二氧化硅或金属薄膜制作的第一掩膜，该掩膜具有隙缝；然后采用干法蚀刻或湿法蚀刻，在掩膜的隙缝处对衬底上的p型半导体层、活性层和n型半导体层进行蚀刻直至衬底外露，从而形成隔离槽。

12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：步骤S3具体为在衬底上方提供一第二掩膜，该掩膜使发光二极管单元和三个静电防护二极管单元的部分p型半导体层外露，然后采用干法蚀刻或湿法蚀刻，在掩膜的隙缝处对衬底上的p型半导体层和活性层进行蚀刻直至n型半导体层外露。

13.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于：步骤S31具体为在该p型半导体层和外露的n型半导体层表面形成一钝化层，然后再采用干法蚀刻或湿法蚀刻在各独立单元的钝化层上蚀刻出n极窗口和p极窗口，该n型半导体层和p型半导体层分别在n极窗口和p极窗口部分外露，步骤S4的电极层设置在该n极窗口和p极窗口中外露的n型半导体层和p型半导体层表面。