[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201010550466.0 | 申请日: | 2010-11-08 |
公开(公告)号: | CN102096523A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 黑川义元;池田隆之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G06F3/042 | 分类号: | G06F3/042 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
技术领域
本发明的技术领域涉及一种显示装置及该显示装置的驱动方法。此外,还涉及一种半导体装置及该半导体装置的驱动方法。
背景技术
近年来,装载有具有光传感器的显示面板的显示装置引人注目。
当检测对象接触于或接近显示面板时,照射到显示面板的光的量变化。通过利用光传感器来检测光的量的变化,可以检测出检测对象的接触或接近。
作为这种显示装置的一例,可以举出如下显示装置:通过将贴紧型区域传感器配置到显示面板,来具备成像功能(例如,参照专利文件1)。此外,作为不具有显示面板的装置的一例,可以举出诸如图像传感器等的半导体装置。
在显示装置中,通过如下步骤进行成像。当检测对象接触于或接近显示面板时,光从显示面板照射到检测对象,并且,一部分的光被检测对象反射。在显示面板的像素中设置有光传感器,通过检测出被反射的光并将它转换为电信号而取得图像数据,来生成图像。
为了进行高精度的成像,而需要降低由于设置在显示面板的像素中的光传感器的特性的不均匀性而发生的噪音。由于噪音的影响,而存在有不能生成正常的图像的缺损像素。
已知校正缺损像素的图像数据的技术(例如,参照专利文件2)。
[专利文件1]日本专利申请公开2001-292276号公报
[专利文件2]日本专利申请公开2002-262132号公报
在专利文件2中,通过使用与缺损像素相邻的像素的图像数据,生成正常的图像数据,来校正缺损像素的图像数据。因此,有如下问题:在缺损像素存在于广范围的情况下,很难校正图像数据。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的之一是即使不进行使用与缺损像素相邻的像素的校正,也能降低图像数据的噪音,而进行高精度的成像。
在显示面板的像素中配置有光传感器,并且,在进行通常的图像的成像之前,预先进行校正用图像的成像。并且,在进行通常的图像的成像时,使用校正用图像进行校正,生成降低了噪音的图像。具有噪音的像素也被称为缺损像素。
光传感器通过在复位工作时输入规定的信号被复位。至于校正用像素,也可以利用复位工作时输入的信号来生成图像数据而进行成像。通过设定复位工作时的信号的大小,可以自动地进行所希望的图像的成像。
作为校正用图像,既可以进行一个成像,又可以进行多个成像来使用。
本发明的一种方式是一种显示装置,包括:光传感器被配置为矩阵状的显示面板;以及图像处理电路,其中,所述光传感器进行黑色图像以及检测对象的图像的成像,并且,所述图像处理电路使用所述黑色图像的图像数据X以及所述检测对象的图像的图像数据Y来生成具有图像数据(Y-X)的图像。
本发明的一种方式是一种显示装置,包括:光传感器被配置为矩阵状的显示面板;以及图像处理电路,其中,所述光传感器进行白色图像以及检测对象的图像的成像,并且,所述图像处理电路将灰度级的最大值设定为MAX,使用所述白色图像的图像数据X以及所述检测对象的图像的图像数据Y,来生成具有图像数据(Y+(MAX-X))的图像。
本发明的一种方式是一种显示装置,包括:光传感器被配置为矩阵状的显示面板;以及图像处理电路,其中,所述光传感器进行黑色图像、白色图像以及检测对象的图像的成像,并且,所述图像处理电路将灰度级的最大值设定为MAX,使用所述黑色图像的图像数据X、所述白色图像的图像数据Y以及所述检测对象的图像的图像数据Z,来生成具有图像数据(MAX×(Z-X)/(Y-X))的图像。
此外,本发明的特征是具有一种用来容纳由光传感器成像的图像的存储装置。
此外,本发明的特征是如下:黑色图像及白色图像是校正用图像,并且,它们在光传感器进行复位工作时被成像。
根据本发明,可以提供一种能够进行高精度的成像的显示装置。
附图说明
图1是说明显示装置的结构的图;
图2是说明显示装置的结构的图;
图3是说明显示装置的结构的图;
图4是时序图;
图5是说明显示装置的结构的图;
图6是时序图;
图7是显示装置的截面图;
图8是显示装置的截面图;
图9是示出显示装置的结构的图;
图10A至10D是示出使用显示装置的电子设备的一例的图;
图11A至11C是示出图像处理方法的一例的图;
图12是显示装置的截面图;
图13是示出使用显示装置的电子设备的一例的图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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