[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

说明书

技术领域

实施例涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

通过具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管可以实施发光器件(LED)，并且通过化合周期表的III族元素和V族元素可以形成发光器件(LED)。LED可以通过调整化合物半导体的组成比率来实现各种颜色。

同时，根据现有技术，在静电放电(ESD)期间，电流在反方向流动，使得可能损坏是发光区域的有源层。

为了解决由于ESD导致的LED的损坏问题，齐纳二极管被在与LED相反的方向并行连接到LED并且然后以封装类型进行安装。因此，在正向偏置中，电流流到LED，使得从LED发射光。在静电放电中时，电流流到齐纳二极管，从而能够防止LED被损坏。

然而，在现有技术中，由于在封装上安装齐纳二极管，所以存在光的吸收量减少的问题。

而且，在现有技术的垂直型LED中，n型电极和p型电极分别形成在垂直型LED的上部分和下部分处用于电流注入。

这时，通过n型电极和p型电极分别注入的电子和空穴流入有源层并且被复合从而产生光。产生的光被发射到外部，或者被吸收到n型电极中或者由n型电极反射，并且因此在LED内部丢失。即，根据现有技术，从n型电极下方的层发射的光被吸收到n型电极或者由n型电极反射，并且因此可能减少发光效率。而且，根据现有技术，由n型电极反射的光的重吸收可能引起热的产生。

此外，根据现有技术，LED的寿命和可靠性会由于电流集边而降低。

发明内容

实施例提供能够防止由于静电放电导致的损坏的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

实施例还提供能够增强光提取效率和电流扩展效应的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上方的有源层、以及有源层上方的第二导电类型半导体层；电介质层，该电介质层形成在通过移除发光结构的一部分限定的多个空腔中的每一个中；以及电介质层上方的第二电极层。

在另一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层上方的有源层、以及有源层上方的第二导电类型半导体层；电容器，该电容器分别并行地形成在通过移除发光结构的一部分限定的多个空腔中；以及发光结构上方的第一电极层。

在又一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；第三电极层和第四电极层，该第三电极层和第四电极层被装配在封装主体中；以及上述发光器件，该发光器件被电气地连接到第三电极层和第四电极层。

在又一实施例中，照明系统包括发光模块，该发光模块包括基板，和被安装在基板上的发光器件封装，其中发光器件封装包括：封装主体；第三电极层和第四电极层，该第三电极层和第四电极层被装配在封装主体中；以及上述发光器件，该发光器件被电气地连接到第三电极层和第四电极层。

附图说明

图1是根据实施例的发光器件的截面图。

图2是根据实施例的发光器件的电路图。

图3是当在根据实施例的发光器件中发生静电放电时的波形图。

图4至图7是示出根据实施例的发光器件的制造方法的截面图。

图8是根据实施例的被提供有发光器件的发光器件封装的截面图。

图9是根据实施例的照明单元的透视图。

图10是根据实施例的背光单元的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将会参考附图描述根据本公开的实施例的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)被称为在另一层或者基板“上”时，它能够直接地在另一层或者基板上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层的“下方”时，它能够直接地位于其它层的下方，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一的层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

(实施例)

图1是根据实施例的发光器件100的截面图，并且图2是根据实施例的发光器件的电路图。

根据实施例的发光器件(LED)100可以包括发光结构110，该发光结构110包括第一导电类型半导体层102、有源层104以及第二导电类型半导体层106；电介质层130，该电介质层130形成在通过移除一些发光结构110来限定的多个空腔中的每一个中；以及电介质层130上的第二电极层120。