[发明专利]阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低、无辐射等优点，而成为液晶显示器中的主流产品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驱动电路和背光源。液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由阵列基板和彩膜基板对盒而成，其间填充有液晶层；通过控制驱动电路提供的电压使液晶分子有序发生偏转，产生光的明暗变化，其中电压的控制是由薄膜晶体管完成的。阵列基板有时又被称为TFT阵列基板。

如图1A和图1B所示，现有技术TFT阵列基板的结构包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有接口区域(未示出)和像素区域。其中，像素区域包括形成在衬底基板1上的栅线2和栅电极3，形成在栅电极3上的栅绝缘层4、有源层6(可以包括半导体层61和掺杂半导体层62)，之上形成有数据线5、源电极7、漏电极8、钝化层9和像素电极11。钝化层9覆盖整个衬底基板1，且位于漏电极8的上方开设有钝化层过孔10，像素电极11通过钝化层过孔10与漏电极8连接。上述结构是通过若干次薄膜沉积和构图工艺形成图案来完成，一次构图工艺形成一层图案。要形成一层图案，首先要在衬底基板上沉积一层薄膜；然后在薄膜表面涂覆一层光敏材料，通过掩膜板对光敏材料进行曝光显影；然后通过刻蚀工艺进行刻蚀形成最终图案；最后，将光敏感材料剥离，并形成下一层薄膜图案。其中，每一层图案都要在精确的位置准确的罩在另一层图案上；每层图案可以具有相同或不同的材料，且厚度一般为几百纳米到几个微米。

其中，在阵列基板的制作过程中所用掩膜板的次数越少，生产效率就越高，成本就越低。而现有技术中通常采用四次刻蚀工艺，即使用四次灰色调掩膜板(Gray Tone Mask)才能形成阵列基板，可见目前制造阵列基板所采用的掩膜板的次数还有待进一步减少，以提高生产效率、降低生产成本。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法，用以减少阵列基板制作过程中使用掩膜板的次数，提高生产效率、降低生产成本。

本发明提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和有源层；所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；所述漏电极形成于所述像素电极之上，并与所述像素电极连接。

本发明提供一种液晶显示器，包括本发明提供的任一阵列基板。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案。

本发明提供的阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法，采用通过一次光刻工艺形成栅电极和栅线；通过一次光刻工艺同时形成栅绝缘层、源电极、漏电极、数据线和像素电极；再通过一次光刻工艺形成有源层和钝化层的技术方案，形成本发明具有漏电极位于像素电极之上，并与像素电极连接的阵列基板结构。本发明技术方案采用三次光刻工艺形成阵列基板，与四次光刻工艺相比减少了阵列基板制造过程中使用掩膜板的次数，提高了阵列基板的生产效率，降低了阵列基板的生产成本。

附图说明

图1A为现有技术阵列基板的局部俯视结构示意图；

图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图2A为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2B为图2A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图3A为本发明实施例一形成包括栅线和栅电极的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；

图3B为图3A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图4A为本发明实施例一形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；

图4B为为图4A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图5A为本发明实施例一形成包括有源层和钝化层的图案后的阵列基板的局部俯视示意图；

图5B为图5A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；