[发明专利]阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和有源层；所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；其特征在于：

所述漏电极形成于所述像素电极之上，并与所述像素电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极与所述漏电极同层形成于所述像素电极之上；所述有源层形成于所述源电极和所述漏电极之上，并与所述源电极和所述漏电极连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：栅绝缘层；所述栅绝缘层形成于所述栅电极上方；所述像素电极形成于所述栅绝缘层上方。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层形成于有源层之上。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于：所述有源层的材料为非晶金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述非晶金属氧化物为非晶氧化铟镓锌。

7.一种包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板的液晶显示器。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和栅线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成上述图案的衬底基板上沉积栅绝缘层薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法在形成上述图案的衬底基板上连续沉积厚度为的所述栅绝缘层薄膜；

采用溅射或热蒸发方法在所述栅绝缘层薄膜上沉积厚度为的所述透明导电薄膜；

采用溅射或热蒸发方法在所述透明导电薄膜上沉积厚度为的所述源漏金属薄膜。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、像素电极、数据线、源电极和漏电极的图案的步骤具体包括：

在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的所述源漏金属薄膜和所述透明导电薄膜，形成包括所述栅绝缘层、所述源电极和所述数据线的图案；

按照所述部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶；

进行第二次刻蚀，刻蚀掉所述部分保留区域对应的所述源漏金属薄膜，形成包括所述漏电极和所述像素电极的图案；

去除所述完全保留区域的光刻胶。

11.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成上述图案的衬底基板上沉积有源层薄膜和钝化层薄膜的步骤包括：

采用溅射方法在形成上述图案的衬底基板上沉积厚度为的所述有源层薄膜；

采用等离子体增强化学气相沉积方法在所述有源层薄膜上连续沉积厚度为的所述钝化层薄膜。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括有源层和钝化层的图案的步骤包括：

在所述钝化层薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；

进行刻蚀，刻蚀掉所述完全去除区域对应的所述钝化层薄膜和所述有源层薄膜，形成包括所述有源层和所述钝化层的图案；

去除所述完全保留区域的光刻胶。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在形成所述钝化层和所述有源层的同时形成栅极接口区域。

14.根据权利要求8-13任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述有源层的材料为非晶金属氧化物。