[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010518064.2 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044494A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 饭田伊豆雄 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，将第一导电沟道型的MOS晶体管及电阻元件具备于一个半导体衬底上，其特征在于，包括下列步骤：
第一元件分离膜形成步骤，于所述半导体衬底上形成用以将第一导电沟道型MOS晶体管从其他元件电性分离的第一元件分离膜；
第一离子注入步骤，形成防止于所述第一元件分离膜下方的所述半导体衬底的表面形成沟道的第一沟道阻挡层；以及
第二离子注入步骤，形成防止所述第一导电沟道型MOS晶体管的穿透的第一穿透防止层；并且
利用所述第一及第二离子注入步骤，形成所述电阻元件的电阻层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述电阻元件的电阻层时，于没有形成所述第一元件分离膜的所述半导体衬底的表面，利用所述第一及第二离子注入步骤进行离子注入。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一离子注入步骤，是在离子可贯穿所述第一元件分离膜的条件下进行。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：于所述半导体衬底上形成第二导电沟道型MOS晶体管的步骤；并且
形成所述第二导电沟道型MOS晶体管的步骤包括下列步骤：
形成第二元件分离膜的步骤，于所述半导体衬底上形成用以将所述第二导电沟道型MOS晶体管从其他元件电性分离的第二元件分离膜；
第三离子注入步骤，形成防止于所述第二元件分离膜下方的所述半导体衬底的表面形成沟道的第二沟道阻挡层；以及
第四离子注入步骤，形成防止所述第二导电沟道型MOS晶体管的穿透的第二穿透防止层；并且
利用所述第三离子注入步骤及所述第四离子注入步骤，对所述电阻元件的电阻层中进行离子注入，借此将所述电阻层高电阻化。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三离子注入步骤，是在离子可贯穿所述第二元件分离膜的条件下进行。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，利用所述第一及第二离子注入步骤，于所述半导体衬底上形成双极晶体管的基极层。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，利用所述第三离子注入步骤或/及所述第四离子注入步骤，提高所述双极晶体管的集极层的杂质浓度。
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