[发明专利]极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法及系统无效
申请号: | 201010290764.0 | 申请日: | 2010-09-21 |
公开(公告)号: | CN102012460A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 陈腊;周云;康保娟;李备战;张金仓;曹世勋 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极端 条件下 测量 材料 电子器件 交流 阻抗 特性 方法 系统 | ||
1.一种极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法,其特征在于操作步骤为:
a.综合物性测量系统(2)为测试提供所需的极低温和强磁场条件,以及调节样品(5)或电子器件与磁场夹角方向;待测样品(5)或器件用双面胶及夹具固定于样品托(6)或旋转杆上,样品托(6)或旋转杆置于液氦杜瓦(4)样品腔内;
b.通过循环设置LCR仪表(3)测量参数实现扫描测量功能;
c.在样品(5)或器件温度磁场值达到预设值后,利用LCR仪表(3)测量样品(5)或器件交流阻抗;
d.消除误差:在不加载样品或器件情况下,分别测量LCR表(3)与样品托(6)间电缆(7)开路和短路时对应的各种交流频率阻抗;然后在加载样品(5)或器件情况下,通过扣除掉这个背底阻抗来得到较精确的结果。
2.如权利1要求所述极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法,其特征在于:极端条件的极低温温度范围:2-380K。
3.如权利1要求所述极端条件下测量材料或电子器件交流阻抗特性的方法,其特征在于:极端条件的强磁场范围:0-9T。
4.一种极端条件下测量材料或器件交流阻抗特性的系统,包括一个综合物性测量系统(2)、一个LCR仪表(3)和一个微机终端(1),其特征在于:所述综合物性测量系统(2)和LCR仪表(3)通过GPIB接口总线与微机终端(1)相连,该微机终端(1)包含一个数据采集分析系统。
5.如权利要求4所述测量材料或器件交流阻抗特性的系统,其特征在于:所述数据采集分析系统具有采集整个系统数据,包括样品(5)或器件的温度和磁场值及LCR仪表(3)测量结果以及时显示各项数值,数据绘图,完成数据存盘功能。
6.如权利要求4所述测量材料或器件交流阻抗特性的系统,其特征在于:所述数据采集分析系统通过综合物性测量系统控制软件MultiVu设定测量脚本程序,接收综合物性测量系统发送的消息代码控制LCR表(3)测量。
7.如权利要求1和权利要求4所述测量材料或器件交流阻抗特性的方法和系统,其特征在于:所述数据采集分析系统通过循环设置LCR仪表(3)测量参数实现扫描测量功能。
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