[发明专利]液晶成像器及其制作方法

权利要求书

1.一种液晶成像器(10)，包括：

透明前部平面板(100)，该透明前部平面板(100)包括透明前部平面衬底(105)、透明传导涂层(110)以及顶部液晶对齐膜(120)；

平面液晶单元(150)，该平面液晶单元(150)包括传导密封环(160)以及被该传导密封环(160)封装的液晶充填物(155)；

背部平面板(200)，该背部平面板(200)包括底部液晶对齐膜(204)、电极阵列层(210)以及背部平面衬底(220)，该电极阵列层(210)包括被电极隔离器(219)电隔离的反射像素电极(211)的平面阵列以及传送单元连接垫(215)，该背部衬底(220)包括有源矩阵驱动电路(226)；

其中所述传导密封环(160)将所述透明传导涂层(110)电连接于所述传送单元连接垫(215)；所述驱动电路(226)被电连接于所述传送单元连接垫215和所述反射像素电极(211)的平面阵列。

2.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述背部平面板(200)还包括：

一组输入输出垫(225)，该输入输出垫(225)电连接于所述有源矩阵电路(226)；

底部连接垫层(230)，该底部连接垫层(230)包括一组在数量上与所述输入输出垫(225)相同的底部粘结垫(235)；

一组穿过衬底通路(227)，该穿过衬底通路(227)将所述输入输出垫(225)单个地电连接于所述底部粘结垫(235)。

3.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述透明前部平面衬底(105)由二氧化硅制成，所述透明传导涂层(110)由氧化铟锡、氧化铟锌、纳米碳管、以及传导聚合物之一或其组合制成。

4.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述顶部液晶对齐膜(120)和所述底部液晶对齐膜(204)由氧化硅和氮化硅之一或其组合制成。

5.根据权利要求2所述的液晶成像器，其特征在于：所述背部平面衬底(220)由固态半导体制成。

6.根据权利要求5所述的液晶成像器，其特征在于：所述穿过衬底通路227的每一个还包括围绕穿过衬底导体(227b)的柱形隔离罩(227a)，所述底部粘结垫(235)被底部电隔离层(235)与所述背部平面衬底(220)电隔离。

7.根据权利要求6所述的液晶成像器，其特征在于：所述半导体由硅制成，所述电极隔离器(219)以及所述底部垫隔离层(235)由氧化硅、氮化物和氮氧化合物、氧化铝以及氮化物、氧化钽之一或其组合制成。

8.根据权利要求5所述的液晶成像器，其特征在于：所述固态半导体是硅，所述有源矩阵驱动电路(226)包括P型和N型金属氧化物半导体场效应晶体管的互补和对称对。

9.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述传导密封环(160)由铝、铜、铬、镍、锡、银和金之一或其组合制成。

10.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述传导密封环(160)由光限定传导胶制成。

11.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述平面液晶单元(150)还包括将所述传导密封环(160)与所述平面液晶单元(155)隔开的内部隔离环(165)。

12.根据权利要求11所述的液晶成像器，其特征在于：所述内部隔离环(165)由氧化硅、氮化物、氮氧化物以及碳化物、碳以及包括固态聚合物的碳化合物之一或其组合制成。

13.根据权利要求2所述的液晶成像器，其特征在于：所述底部粘结垫(235)由底部粘结垫隔离器(239)电隔离，该底部粘结垫隔离器(239)由氧化硅、氮化物、氮氧化合物以及碳化物、碳以及碳化合物之一或其组合制成。

14.根据权利要求1所述的液晶成像器，其特征在于：所述穿过衬底导体(227b)和所述底部粘结垫(235)由铝、钨、铜、钴、镍、锡、银和金之一或其组合制成。