[发明专利]具有内联机结构的三维叠层元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010289323.9 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102088019A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 龙翔澜 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/52;H01L27/10;H01L27/115;H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 联机 结构 三维 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有内联机结构的三维叠层元件,其特征在于,包括:

包括多个层级的三维结构,包括层级0至N,其中N至少为2,

当(i)等于0至N-1时,其中层级(i)包括在纵向上具有长度以及在横向上具有宽度的接地区(i),以及

当(i)等于1至N时,其中层级(i)位于层级(i-1)上方且具有开口(i),以及当(i)等于1至N-1时,所述开口(i)邻近所述层级(i)上的所述接地区(i),以及当(i)大于1时,所述层级(i)在所述层级(i-1)上的所述接地区(i-1)上方延伸,并在所述层级(i-1)的所述开口(i-1)上方延伸,所述开口(i)具有远程纵向侧壁与近端纵向侧壁,所述开口(i)的所述远程纵向侧壁与所述层级(i-1)中的所述开口(i-1)的所述远程纵向侧壁对准,以及所述开口(i)的所述近端纵向侧壁定义开口(i)的长度,使所述开口(i)的所述长度至少等同于所述接地区(i-1)的长度加上所述开口(i-1)的长度,当(i)大于1时,所述开口(i)的横向侧壁与所述层级(i-1)的所述开口(i-1)的所述横向侧壁对准,以及所述开口(i)的所述横向侧壁定义所述开口(i)在所述接地区(i-1)上方的宽度,使所述开口的所述宽度至少等同于所述接地区(i-1)的宽度;以及

绝缘填充物,位于层级1至N的所述开口中,以及

导体,在所述开口内的所述绝缘填充物中延伸,以接触位于层级0至N-1上的所述接地区。

2.根据权利要求1所述的元件,其特征在于:

当(i)大于1时,所述开口(i)的所述远程纵向侧壁自行对准所述层级(i-1)的所述开口(i-1)的所述远程纵向侧壁;以及

当(i)大于1时,所述开口(i)的所述横向侧壁自行对准所述层级(i-1)的所述开口(i-1)的所述横向侧壁。

3.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述多个层级中的层级包括导体层。

4.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,更包括位于所述多个层级上方的线路层,所述线路层包括与所述导体接触的导线。

5.根据权利要求4所述的元件,其特征在于,所述导线将所述多个层级耦接至译码电路。

6.根据权利要求1所述的元件,其特征在于,所述多个层级中的层级包括各个存储单元阵列。

7.根据权利要求1所述的元件,其特征在于:

当(i)等于0至N-1时,层级(i)包括用以接触导体的额外接地区(i);以及

当(i)等于1至N时,层级(i)具有额外开口(i),且当(i)等于1至N-1时,所述额外开口(i)邻近层级(i)上的所述额外接地区(i),以及层级(i)在层级(i-1)上的所述额外接地区(i-1)上方延伸,以及当(i)大于1时,层级(i)在层级(i-1)中的所述额外开口(i-1)上方延伸。

8.根据权利要求7所述的元件,其特征在于,当(i)等于1至N-1时,所述接地区(i)与所述额外接地区(i)对称于与所述纵向及所述横向均平行的轴,以及所述开口(i)与所述额外开口(i)对称于所述轴。

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