[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010277983.5 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102013391A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 中田和成;本并薰;楢崎敦司;小野山步;本田成人;藤井亮一;平田智也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，具备：
在具有相互相向的第一主表面和第二主表面的半导体衬底的所述第一主表面，形成保护膜的工序，该保护膜从所述半导体衬底的外周端部朝向内侧，具有规定的宽度并沿着所述外周端部延伸；
通过对所述半导体衬底的所述外周端部进行磨削，形成与所述第一主表面和所述第二主表面正交的外周端面的工序；
通过对所述半导体衬底的所述第二主表面进行磨削，从而使所述半导体衬底的厚度变薄到规定的厚度的工序；以及
在使磨削了的所述第二主表面朝向上方的状态下，通过一边使所述半导体衬底旋转一边在所述第二主表面上喷出规定的药液，从而在所述第二主表面实施蚀刻处理的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述保护膜以厚度不超过10μm的方式形成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，当将所述保护膜的膜厚除以所述宽度的比作为纵横比时，所述保护膜以所述纵横比的值不超过0.007的方式形成。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，作为规定的所述药液，使用包含氢氟酸、硝酸、磷酸、和硫酸的混合酸。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，作为所述保护膜，形成氮化硅膜和聚酰亚胺膜的任一种的膜。
6.一种半导体装置的制造方法，其中，具备：
准备具有相互相向的第一主表面和第二主表面、且外周端部被磨削了的半导体衬底的工序；
在所述半导体衬底的所述第一主表面形成保护膜的工序，该保护膜从所述半导体衬底的所述外周端部朝向内侧，具有规定的宽度并沿着所述外周端部延伸；
通过对所述半导体衬底的所述第二主表面进行磨削，从而使所述半导体衬底的厚度变薄到规定的厚度的工序；以及
在使磨削了的所述第二主表面朝向上方的状态下，通过一边使所述半导体衬底旋转一边在所述第二主表面上喷出规定的药液，从而在所述第二主表面实施蚀刻处理的工序。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述保护膜以厚度不超过10μm的方式形成。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，当将所述保护膜的膜厚除以所述宽度的比作为纵横比时，所述保护膜以所述纵横比的值不超过0.007的方式形成。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，作为规定的所述药液，使用包含氢氟酸、硝酸、磷酸、和硫酸的混合酸。
10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，作为所述保护膜，形成氮化硅膜和聚酰亚胺膜的任一种的膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
