[发明专利]一种清洁多层金属互连结构的方法无效
| 申请号： | 201010275094.5 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102386060A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘轩;杨永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 多层 金属 互连 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洁多层金属互连结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供多层金属互连结构，该多层金属互连结构具有待沉积金属的凹槽和/或通孔；
电荷去除步骤，其中，采用去离子水去除所述多层金属互连结构的表面的电荷；
清洗步骤，其中，采用化学清洗液清洗所述多层金属互连结构的表面；
漂洗步骤，其中，采用去离子水漂洗所述多层金属互连结构的表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括干燥步骤，其中，采用惰性气体干燥所述多层金属互连结构。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电荷去除步骤的时间为5-15s。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学清洗液为ST-250的水溶液。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述ST-250的水溶液的温度为30-50摄氏度。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗步骤的时间为80-100s。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气、氦气或氩气。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述干燥步骤的时间为5-15s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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