[发明专利]集成电路装置、存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

一半导体基板；

至少一浮置栅结构，具有多个垂直侧壁且包括：

一浮置栅，设置于该半导体基板之上；

一第一介电层，设置于该浮置栅之上；

一控制栅，设置于该第一介电层之上；

至少一介电层，设置于该控制栅之上；

一第一对称垂直侧壁介电层，设置于该至少一浮置栅结构的所述多个垂直侧壁的一源极侧侧壁以及一漏极侧侧壁之上；以及

一第二非对称垂直侧壁介电层，设置于位于该浮置栅结构的该源极侧侧壁上的该第一对称垂直侧壁介电层之上。

2.如权利要求1所述的存储装置，还包括一共用源极区，形成于该半导体基板内且邻近于该浮置栅结构的该源极侧侧壁，该共用源极区具有邻近该源极侧侧壁的一第一侧以及相对的一第二侧。

3.如权利要求2所述的存储装置，还包括：

一第二浮置栅结构，设置于该半导体基板之上且邻近于该源极区的该第二侧，该第二浮置栅结构包括：

一第二浮置栅，设置于该半导体基板之上；

一第四介电层，设置于该浮置栅之上；

一控制栅，设置于该第四介电层之上；

至少一介电层，设置于该控制栅之上；

一第三对称垂直侧壁介电层，设置于该第二浮置栅结构的所述多个垂直侧壁的一源极侧侧壁与一漏极侧侧壁之上；以及

一第四非对称垂直侧壁介电层，设置于该第三对称垂直侧壁介电层之上，且仅位于该第二浮置栅结构的该漏极侧侧壁之上。

4.如权利要求1所述的存储装置，其中该第二非对称垂直侧壁介电层包括一氮化硅层，且还包括一穿隧氧化物层，设置于该第一对称垂直侧壁介电层之上，而该穿隧氧化物层包括一高温氧化物层。

5.一种集成电路装置，包括：

一半导体基板；

至少一对浮置栅存储单元，形成于邻近该半导体基板内的一共用源极区，所述多个浮置栅存储单元分别包括：

至少一浮置栅结构，具有多个垂直侧壁且包括：

一浮置栅，设置于该半导体基板之上；

一第一介电层，设置于该浮置栅之上；

一控制栅，设置于该第一介电层之上；

至少一介电层，设置于该控制栅之上；

一第一对称垂直侧壁介电层，设置于该至少一浮置栅结构的所述多个垂直侧壁的一源极侧侧壁以及一漏极侧侧壁之上；以及

一第二非对称垂直侧壁介电层，设置于位于该浮置栅结构的该源极侧侧壁上的该第一对称垂直侧壁介电层之上。

6.如权利要求5所述的集成电路装置，还包括一穿隧氧化物层，设置于位于该浮置栅结构的该源极侧侧壁上的该第一对称侧壁介电层之上。

7.如权利要求5所述的集成电路装置，其中该第一对称垂直侧壁介电层包括一氮化物层，而该第二非对称垂直侧壁介电层包括一氮化硅层。

8.一种存储装置的制造方法，包括：

提供一半导体基板：

定义一源极区于该半导体基板之上；

形成邻近该源极区且具有多个垂直侧壁的至少一浮置栅结构，邻近该源极区的所述多个垂直侧壁形成了一源极侧侧壁，而远离该源极区的该垂直侧壁形成了一漏极侧侧壁，该至少一浮置栅结构包括一浮置栅、位于该浮置栅上的一介电层、位于该介电层上的一控制栅，以及位于该控制栅上的至少一介电层；

形成一第一对称垂直侧壁介电层于该浮置栅结构与该半导体基板之上，且位于该源极侧侧壁与该漏极侧侧壁之上；

图案化一光致抗蚀剂层于该第一非对称垂直侧壁介电层之上；

自该半导体基板处移除该第一对称垂直侧壁介电层，而于该源极侧与该浮置栅结构的该漏极侧侧壁上仍存在有该第一对称侧壁介电层；

形成一第二非对称垂直侧壁介电层于该第一浮置栅结构与该半导体基板之上；

图案化一第二光致抗蚀剂层于该浮置栅结构与该半导体基板之上；以及

自该浮置栅结构的该源极侧侧壁与该半导体基板处移除该第二非对称垂直侧壁介电层，而于该漏极侧侧壁上留下该第二非对称垂直侧壁介电层。

9.如权利要求8所述的存储装置的制造方法，其中形成一第一对称垂直侧壁介电层包括沉积一氮化硅层，而形成一第二非对称垂直侧壁介电层包括沉积氮化硅层。

10.如权利要求9所述的存储装置的制造方法，其中形成一第二非对称垂直侧壁介电层包括沉积一蚀刻停止层以及沉积氮化硅层于该蚀刻停止层之上，而自该浮置栅结构的该源极侧侧壁与该半导体基板处移除该第二非对称垂直侧壁介电层包括实施一选择性蚀刻以移除该氮化硅层并停止该选择性蚀刻于该蚀刻停止层上。