[发明专利]像素区域上具有电容器的背照式图像传感器

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，包括：

半导体衬底，具有正面和背面；

传感器元件，上覆所述半导体衬底的正面而形成；以及

电容器，上覆所述传感器元件而形成。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器包括MIM电容器。

3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器包括MOM电容器。

4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其中，所述半导体衬底包括像素区域，并且所述传感器元件形成在所述像素区域中。

5.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器形成在所述像素区域中。

6.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其中，所述传感器元件包括在所述半导体衬底的正面上的所述像素区域中的感光区域。

7.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其中，所述传感器元件包括在所述半导体衬底的正面上的晶体管结构。

8.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，还包括：

多个介电层，上覆所述传感器元件；以及

互连结构，形成在所述多个介电层中，

其中，所述互连结构的至少两个金属层和在所述至少两个金属层之间的所述多个介电层中的至少一个形成所述电容器。

9.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器被电连接到所述传感器元件，并且所述互连结构的至少一个金属层包括铜。

10.一种背照式图像传感器，包括：

半导体衬底，具有正面和背面，其中像素区域限定在所述正面上；

晶体管结构，在上覆所述半导体衬底的正面的所述像素区域中，其中所述晶体管结构包括形成在所述半导体衬底的正面上的栅电极和在所述半 导体衬底的正面中横向邻近所述栅电极形成的源极/漏极区域；

感光元件，形成在所述源极/漏极区域中的一个上；以及

电容器，上覆所述晶体管结构而形成并电连接到所述晶体管结构。

11.根据权利要求10所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器包括MIM电容器。

12.根据权利要求10所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器包括MOM电容器。

13.根据权利要求10所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器形成在所述像素区域中，并且所述感光区域是光电二极管区域。

14.根据权利要求10所述的背照式图像传感器，还包括：

多个介电层，上覆所述晶体管结构和所述感光元件；以及

互连结构，形成在所述多个介电层中，

其中，所述互连结构的至少两个金属层和在所述至少两个金属层之间的所述多个介电层中的至少一个形成所述电容器。

15.根据权利要求14所述的背照式图像传感器，其中，所述电容器包括底部电极、顶部电极和形成在所述底部电极和所述顶部电极之间的电容器介电层，并且所述底部电极和所述顶部电极中的至少一个包括铜。