[发明专利]发光二极管封装结构无效
申请号: | 201010272003.2 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102403441A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 洪梓健;沈佳辉 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体发光装置,特别涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
通常,在制作发光二极管封装结构时,采用固晶胶将发光二极管晶粒固定于基座上。然,由于固晶胶的导热性能相对较低,从而发光二极管晶粒在工作状态下所产生的热量不能被迅速传递到基座上,降低整个发光二极管封装结构的散热性能,缩短发光二极管晶粒的使用寿命。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种具较佳散热性能的发光二极管。
一种发光二极管封装结构,包括发光二极管晶粒、封装体及基座,该发光二极管晶粒固定于该基座上,该封装体包覆该发光二极管晶粒,该发光二极管晶粒与该基座之间设置一导热衬底,该导热衬底包括相对设置的第一表面及第二表面,发光二极管晶粒贴附于导热衬底的第一表面上,发光二极管晶粒与导热衬底贴合处为接触面,导热衬底的第一表面的面积大于发光二极管晶粒的接触面的面积,导热衬底的第二表面固定在基座上。
上述的发光二极管封装结构的发光二极管晶粒与基座之间设置导热性能较佳的导热衬底,且导热衬底的面积相对较大,从而发光二极管晶粒所产生的热量可以较快的传递到基座上,提高整个发光二极管结构的散热性能,延长其使用寿命。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2为图1中发光二极管封装结构的的电流-发光强度曲线图。
图3为现有技术的一种发光二极管封装结构的电流-发光强度曲线图。主要元件符号说明
发光二极管封装结构 10
基座 11
上表面 110
下表面 111
收容孔 112
内壁面 113
底面 114
发光二极管晶粒 12
接触面 121
导热衬底 13
第一表面 131
第二表面 132
粘贴材料 14
封装体 15
具体实施方式
请参阅图1,本发明实施方式提供的发光二极管封装结构10,包括基座11、导热衬底13、发光二极管晶粒12及封装体15。
基座11包括上表面110及下表面111,上表面110与下表面111相对设置。基座11内凹形成一收容孔112,基座11于收容孔112的外围形成一内壁面113,基座11于收容孔112的底部形成一底面114。该收容孔112提供发光二极管晶粒12及封装体15的容置空间,其上宽下窄,基座11的内壁面113自上表面110向底面114方向并沿径向向内倾斜。
导热衬底13由高导热材料制成,例如硅、陶瓷或者铜等金属材料。导热衬底13呈薄板状,其包括相对设置的第一表面131及第二表面132,第一表面131位于导热衬底13的顶端,第二表面132位于导热衬底13的底端。发光二极管晶粒12贴附于导热衬底13的第一表面131上,发光二极管晶粒12与导热衬底13贴合处为接触面121。导热衬底13的第一表面131的面积大于发光二极管晶粒12的接触面121的面积,优选地,导热衬底13的第一表面131的面积不小于发光二极管晶粒12的接触面121的面积的两倍。
当导热衬底13的材料为硅,导热衬底13与该发光二极管晶粒12采用金属接合方法(metal bonding)结合在一起。当导热衬底13的材料为陶瓷,导热衬底13与该发光二极管晶粒12的结合方法可以采用金属结合方法、溶胶凝胶方法或者涂布方法其中一种。当导热衬底13的材料为金属,导热衬底13与该发光二极管晶粒12的结合方法可以采用蒸镀、电镀、化学镀或者金属接合。
发光二极管晶粒12与导热衬底13一并收容于基座11的收容孔112内,且导热衬底13的第二表面132固定在基座11的底面114上,导热衬底13与基座11之间通过粘贴材料14(固晶胶或者银胶)固定。封装体15填充于基座11的收容孔112中,且包覆发光二极管晶粒12及导热衬底13。
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